[发明专利]金属有机气相沉积装置

权利要求书

1.一种金属有机气相沉积装置，其特征在于，包括：

用于进行金属有机气相沉积的反应腔；

位于所述反应腔底部的基座，所述基座用于承载待沉积基底；

位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件用于将反应气体分配至所述反应腔内，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，其中，所述中心进气装置用于将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一气体为III族金属有机源气体、V族氢化物源气体和载气，其中，所述第一气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第一流量比，所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，从而减弱第一气体分配的热对流涡旋，所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，其中，所述第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。

2.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置的半径大于基座半径15～25mm。

3.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置到所述基座的距离为20～30mm。

4.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二通量为第一通量的2～10倍。

5.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二流量比大于9或小于1/9。

6.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述基座的旋转速度为900RPM～1500RPM。

7.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气装置包括第三进气装置和冷却装置。

8.如权利要求7所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第三进气装置包括若干子进气装置。

9.如权利要求8所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述若干子进气装置分别将III族金属有机源气体和载气，以及V族氢化物源气体和载气传输至反应腔的外围区域。

10.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气装置具有外围进气口，所述外围进气口位于与反应腔相接触的一侧。

11.如权利要求10所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述外围进气口的数量为1～4个。

12.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述III族金属有机源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体中的一种或多种。

13.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述V族氢化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃气体中的一种或多种。

14.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述载气为氮气、氢气中的一种或两种。

15.如权利要求1所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述中心进气装置包括第一进气装置、第二进气装置和冷却装置。

16.如权利要求15所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置将III族金属有机源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一进气装置包括第一进气口。

17.如权利要求15所述金属有机气相沉积装置，其特征在于，所述第二进气装置将V族氢化物源气体和载气传输至中心进气装置与基座之间的区域，所述第二进气装置包括第二进气口。