[发明专利]三电平逆变器有效
申请号: | 201210064748.9 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN102611343A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 何波 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H05K7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 逆变器 | ||
1.一种三电平逆变器,包括:第一直流源和第二直流源,所述第一直流源负极和所述第二直流源正极连接作为为第一节点,依次串联在所述第一直流源正极与第二直流源负极之间的第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管,所述第一开关管和第二开关管的连接处为第二节点,所述第二开关管和第三开关管的连接处为第三节点,所述第三开关管和第四开关管的连接处为第四节点,第一二极管,其阳极连接于所述第一节点,其阴极连接于所述第二节点,第二二极管,其阴极连接于所述第一节点,其阳极连接于所述第四节点,滤波单元,所述滤波单元的两端分别连接于所述第一节点和第三节点,其特征在于,还包括:
第五开关管,所述第五开关管连接于所述第二节点与第四节点之间。
2.根据权利要求1所述的三电平逆变器,其特征在于,
所述滤波单元包括电感和电容,所述电感的一端连接于所述第三节点,所述电容的一端连接于所述电感的另一端,所述电容的另一端连接于所述第一节点。
3.根据权利要求1或2所述的三电平逆变器,其特征在于,
所述第五开关管为场效应晶体管。
4.根据权利要求3所述的三电平逆变器,其特征在于,
所述场效应晶体管为MOSFET。
5.根据权利要求1或2所述的三电平逆变器,其特征在于,
所述第五开关管为双极性晶体管。
6.根据权利要求5所述的三电平逆变器,其特征在于,
所述双极性晶体管为IGBT。
7.根据权利要求6所述的三电平逆变器,其特征在于,还包括:
连接于所述第五开关管的发射极和集电极之间的反并二极管。
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