[发明专利]平面显示器、位移缓存器及其控制方法有效
申请号: | 201210063493.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102568369A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 陈沛桦;丁友信;傅春霖;卢朝文;林男颖;徐伟钧 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 显示器 位移 缓存 及其 控制 方法 | ||
1.一种位移缓存器,其包含:
多个位移缓存单元,其中至少一位移缓存单元电性耦接前一级位移缓存单元与后一级位移缓存单元,该至少一位移缓存单元包含:
一信号输入电路,电性耦接前一级位移缓存单元,用以接收一来自前一级位移缓存单元的逻辑信号;
一信号输出电路,电性耦接该信号输入电路与后一级位移缓存单元,并接用以收一第一频率信号,其中该信号输出电路经由一控制信号端电性耦接该信号输入电路;
一下拉电路,电性耦接该信号输入电路与该信号输出电路,并用以接收一第一工作电压,下拉该控制信号端的电压;以及
一切换电路,该下拉电路通过该切换电路电性耦接至该控制信号端。
2.根据权利要求1所述的位移缓存器,其特征在于:
当该第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时,该切换电路将该控制信号端与该下拉电路电性隔离;以及
当该第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时,该切换电路将该控制信号端与该下拉电路电性耦接。
3.根据权利要求2所述的位移缓存器,其特征在于,该切换电路包含一对晶体管,该对晶体管分别包含一第一端、一第二端与一栅极端,该对晶体管的二第一端皆电性耦接至该信号控制端且该对晶体管的二第二端电性耦接至该下拉电路,该对晶体管的二栅极分别用以接收该第一频率信号与该第二频率信号。
4.根据权利要求1所述的位移缓存器,其特征在于,该信号输入电路包含:
一第一反向器,其输入端接收该来自前一级位移缓存单元的逻辑信号;以及
一第一晶体管,具有一栅极电性耦接该第一反向器的输入端、一第一端电性耦接该反向器的输出端、以及一第二端电性耦接该控制信号端。
5.根据权利要求4所述的位移缓存器,其特征在于,该信号输出电路包含:
一第二晶体管,具有一栅极电性耦接该控制信号端、一第一端用以接收该第一频率信号、以及一第二端,电性耦接后一级位移缓存单元;以及
一第二反向器,具有一输入端电性耦接该第二晶体管的第二端、一输出端电性耦接该下拉电路。
6.根据权利要求5所述的位移缓存器,其特征在于,该下拉电路包含:
一第三晶体管,具有一栅极电性耦接该第一反向器的输出端、一第一端电性耦接该第二反向器的输出端、以及一第二端;以及
一第四晶体管,具有一栅极电性耦接该第三晶体管的第二端、一第一端电性耦接该第一工作电压、以及一第二端电性耦接该切换电路。
7.根据权利要求1所述的位移缓存器,其特征在于,更包含:
一电容器,具有一第一端与一第二端,该第一端电性耦接一第二工作电压,该第二端电性耦接该控制信号端。
8.一种平面显示器,包含:
多个画素;
多条数据线,分别电性耦接所述多个画素,用以传输画素电压以驱动所述多个画素;
多条扫描线,分别电性耦接所述多个画素,跟所述多个数据线交错设置,用以控制所述多个画素的更新;以及
根据权利要求1所述的位移缓存器,其中所述位移缓存单元分别电性耦接所述扫描线,用以产生复数扫描信号以控制所述画素的更新。
9.一种位移缓存器的控制方法,该位移缓存器包含多个位移缓存单元,其中至少一位移缓存单元包含一信号输入电路、一信号输出电路与一下拉电路,该信号输出电路经由一控制信号端电性耦接该信号输入电路,该信号输出电路并用以接收一第一频率信号,该控制方法包含:
通过该信号输入电路接收前一级位移缓存单元的逻辑信号;
通过该信号输入电路产生该控制信号端的控制电压;
通过该控制信号端的控制电压控制该信号输出电路;
通过该信号输出电路产生一输出信号;以及
通过该下拉电路下拉该控制信号端的控制电压;
其中,当该第一频率信号与前一级位移缓存单元所接收之一第二频率信号均为逻辑低位准时,将该控制信号端与该下拉电路电性隔离。
10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,更包含:
当该第一频率信号与第二频率信号中有任一者为逻辑高位准时,将该控制信号端与该下拉电路电性耦接。
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