[发明专利]制作可挠式显示装置的方法有效
| 申请号: | 201210063141.9 | 申请日: | 2012-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN102593381A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 王俊然;张家豪;杨志仁;张川修;叶岚凯 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制作 可挠式 显示装置 方法 | ||
1.一种制作可挠式显示装置的方法,包括:
提供一可挠式显示面板,其中所述可挠式显示面板具有一不平坦表面;
于所述可挠式显示面板的不平坦表面形成至少一前驱物层;以及
进行一聚合制程,使所述前驱物层聚合成至少一填充层。
2.如权利要求1所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述前驱物层是利用真空热蒸镀制程或印刷制程形成于所述可挠式显示面板的不平坦表面。
3.如权利要求1所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述前驱物层为压克力基前驱物层或聚对二甲苯基前驱物层。
4.如权利要求1所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于所述填充层上,其中所述填充层具有一平坦表面。
5.如权利要求1所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括于所述可挠式显示面板上形成至少一助着层。
6.如权利要求5所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层是利用物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或原子层沉积制程加以形成。
7.如权利要求5所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层为一金属层、一金属氧化物层、一金属氮化物层、一半导体氧化物层或一半导体氮化物层。
8.如权利要求5所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层形成于所述可挠式显示面板与所述填充层之间。
9.如权利要求5所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层包括一第一助着层与一第二助着层,所述第一助着层形成于可挠式显示面板与填充层之间以及所述第二助着层形成于填充层上。
10.如权利要求9所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于所述第二助着层上,其中所述第二助着层具有一平坦表面。
11.如权利要求5所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层包括一第一助着层、一第二助着层与一第三助着层,所述填充层包括一第一填充层与一第二填充层,所述第一填充层是形成于第一助着层与第二助着层之间,所述第二填充层是形成于第二助着层与第三助着层之间,且所述方法另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于第三助着层上,其中所述第三助着层具有一平坦表面。
12.如权利要求11所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述可挠式显示面板包括一基板与多个显示元件设置于所述基板上,且所述不平坦表面是由所述显示元件的表面与该基板的表面的落差所造成。
13.一种制作可挠式显示装置的方法,包括:
提供一可挠式显示面板,其中所述可挠式显示面板具有一不平坦表面;以及
于所述可挠式显示面板的不平坦表面形成至少一填充层,其中所述填充层包括多个纳米碳管、纳米碳颗粒或纳米碳线。
14.如权利要求13所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述填充层是利用一化学气相沉积制程所形成。
15.如权利要求13所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于所述填充层上,其中所述填充层具有一平坦表面。
16.如权利要求13所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括于所述可挠式显示面板上形成至少一助着层。
17.如权利要求16所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层为一金属层、一金属氧化物层、一金属氮化物层、一半导体氧化物层或一半导体氮化物层。
18.如权利要求16所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层形成于可挠式显示面板与填充层之间。
19.如权利要求16所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层包括一第一助着层与一第二助着层,所述第一助着层形成于可挠式显示面板与填充层之间以及所述第二助着层形成于所述填充层上。
20.如权利要求19所述的制作可挠式显示装置的方法,另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于所述第二助着层上,其中所述第二助着层具有一平坦表面。
21.如权利要求16所述的制作可挠式显示装置的方法,其中所述助着层包括一第一助着层、一第二助着层与一第三助着层,所述填充层包括一第一填充层与一第二填充层,所述第一填充层是形成于第一助着层与第二助着层之间,所述第二填充层是形成于第二助着层与第三助着层之间,且所述方法另包括利用一粘着层,将一阻障层粘着于第三助着层上,其中所述第三助着层具有一平坦表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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