[发明专利]一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，包括如下顺序的步骤：

a.硅基片的清洗；

b.将2.0～5.0份金属氯化物、放入30～100份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；

c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；

d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至150～200℃之间，保温时间10～24小时，然后冷却到室温取出；

e.将步骤d所得产物，进行自然干燥，得到择优取向氯化铵薄膜。

2.如权利要求1所述的一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，其特征在于，步骤a所述清洗，是将硅基片大小为2mm×2mm，按体积比放入三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再将硅片放入丙酮∶蒸馏水＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再在蒸馏水中将硅基片用超声波振荡；将上述得到的硅基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。

3.如权利要求1所述的一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，其特征在于，步骤b所述金属氯化物为SnCl₂·2H₂O、CuCl₂·2H₂O、ZnCl₂、InCl₃·4H₂O等中的至少一种，溶剂为去离子水、乙醇、乙二醇、盐酸中的至少一种。

4.如权利要求1所述的一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，其特征在于，步骤c所述均匀涂布的基片，是通过匀胶机旋涂，匀胶机以200～3500转/分旋转，然后对基片进行烘干后，再次如此重复5～15次，得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。

5.如权利要求1所述的一种择优取向氯化铵薄膜的制备方法，其特征在于，步骤d所述密闭容器内放入20～30份水合联氨。