[发明专利]新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池无效
申请号: | 201210062484.3 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103311356A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈政宏;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;C23C14/24 |
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地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 利用 硫酸钠 控制 扩散 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
所属技术领域
本发明关于一种新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池,其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量,经由硫酸钠薄膜控制钠扩散,进而达到高生产量率及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
背景技术
由于能源价格高涨,全球各地皆再寻求替代的绿色能源,铜铟镓硒太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。
目前,业界大多采用一般铜铟镓硒太阳能电池,但此方式仍有钠扩散无法控制导致低发电效率的缺点存在,其中造成太阳能电池价格过高,无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
发明内容
本发明主要目的系一种新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池,此技术方法于使用真空蒸镀法制作硫酸钠薄膜,其目的在于控制钠扩散,并大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率,且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流,进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
一种新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,包含了:
一玻璃基板;
一钼背电极;
一硫酸钠薄膜;
一铜铟镓硒薄膜;
一硫化铬;
一导电透明穿透层;
一金属前电极;
其中,该硫酸钠薄膜系利用真空蒸镀法制备,以得到有效控制钠扩散之硫酸钠薄膜。
其中,该钼背电极使用高纯度钼金属靶材及利用真空溅镀法,以制备高质量之背电极。
其中,该铜铟镓硒薄膜可使用共蒸镀法、真空溅镀法、硒化法及快速退火法,制备高质量之铜铟镓硒薄膜。
与传统铜铟镓硒太阳能电池技术作比较,本发明具有的有效效益为:
本发明所使用的新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池,包含了玻璃基板、钼背电极、硫酸钠薄膜、铜铟镓硒薄膜、硫化铬、导电透明穿透层及金属前电极。真空蒸镀法制作硫酸钠薄膜,有效控制钠扩散,并提升铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率,进而获得高效率铜铟镓硒太阳能电池,并降低生产成本达到符合市场需求的目的。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图一是本发明之新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池的新型结构图。
主要组件符号说明。
1 …玻璃基板。
2 …钼背电极。
3 …硫酸钠薄膜。
4 …铜铟镓硒薄膜。
5 …硫化铬。
6 …导电透明穿透层。
7 …金属前电极。
具体实施方式
兹将本发明配合附图,详细说明如下:
参照图一,是本发明新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池的新型结构图。
其中包含了玻璃基板1、钼背电极2、硫酸钠薄膜3、铜铟镓硒薄膜4、硫化铬5、导电透明穿透层6及金属前电极7。
为了能够制备有效控制钠之硫酸钠薄膜的铜铟镓硒太阳能电池,其结构如下:玻璃基板1、钼背电极2、硫酸钠薄膜3、铜铟镓硒薄膜4、硫化铬5、导电透明穿透层6及金属前电极7。利用蒸镀系统并施加高电压将硫酸钠原料蒸发,并使其沉积在钼背电极上,形成有效控制钠扩散之硫酸钠薄膜,并制备成高质量高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的