[发明专利]激光二极管元件组件及其驱动方法有效
申请号: | 201210062338.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102684067A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 大木智之;仓本大;幸田伦太郎;渡边秀辉;横山弘之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/065;H01S5/042 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光二极管 元件 组件 及其 驱动 方法 | ||
1.一种激光二极管元件组件,包括:
激光二极管元件;以及
光反射器,
其中,所述激光二极管元件包括:
(a)层压结构体,所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层,由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层,以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成,所述第二导电型与所述第一导电型不同,
(b)第二电极,形成在所述第二化合物半导体层上,以及
(c)第一电极,电连接至所述第一化合物半导体层,
所述层压结构体包括脊条形结构,
激光从所述脊条形结构的第一端面发出,所述激光的一部分被所述光反射器反射返回至所述激光二极管元件,而所述激光的其余部分通过所述光反射器向外界出射,
所述激光被所述脊条形结构的第二端面反射,
所述脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1<Wmax/Wmin<3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
2.一种激光二极管元件组件,包括:
激光二极管元件;以及
光反射器,
其中,所述激光二极管元件包括:
(a)层压结构体,所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层,由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层,以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成,所述第二导电型与所述第一导电型不同,
(b)第二电极,形成在所述第二化合物半导体层上,以及
(c)第一电极,电连接至所述第一化合物半导体层,
所述层压结构体包括脊条形结构,
激光从所述脊条形结构的第一端面发出,且所述激光被所述光反射器反射返回至所述激光二极管元件,
所述激光的一部分从所述脊条形结构的第二端面向外界出射,所述脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1<Wmax/Wmin<3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
3.一种激光二极管元件组件,包括:
激光二极管元件;以及
外部谐振器,
其中,所述激光二极管元件包括:
(a)层压结构体,所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层,由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层,以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成,所述第二导电型与所述第一导电型不同,
(b)第二电极,形成在所述第二化合物半导体层上,以及
(c)第一电极,电连接至所述第一化合物半导体层,
所述层压结构体包括脊条形结构,
激光从所述脊条形结构的第一端面发出,所述激光被所述外部谐振器反射返回至所述激光二极管元件,
从所述脊条形结构的所述第一端面或第二端面发出的激光向外界出射,以及
所述脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1<Wmax/Wmin<3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
4.根据权利要求1所述的激光二极管元件组件,其中
所述光反射器由反射镜、啁啾反射镜、体布拉格光栅或光纤布拉格光栅构成。
5.根据权利要求1至3任一项所述的激光二极管元件组件,其中向外界出射的所述激光为单模光。
6.根据权利要求1至3任一项所述的激光二极管元件组件,其中满足1×10-6m≤Wmin≤3×10-6m。
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