[发明专利]一种用于电平转换的集成电路及其方法有效
申请号: | 201210061989.8 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN103312311A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 沈欣彰;罗棋 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电平 转换 集成电路 及其 方法 | ||
1.一种集成电路,包含:
一电平转换器,具有提供一电平转换电压的一输出,该电平转换器的输出具有由提供至该电平转换器的一第一供应电压决定的一第一最大电压;
一上拉电路,与该电平转换器的输出耦接,该上拉电路具有提供一上拉电路电压的一输出,该上拉电路的输出具有由提供至该上拉电路的一第二供应电压决定的一第二最大电压,该第二最大电压较该第一最大电压更大;
一电压调节电路,具有接收该第二供应电压及一参考电压的一输入,及提供该第一供应电压至该电平转换器的一输出;该第一供应电压是根据该参考电压,使得该第二供应电压提供电源给该电平转换器及该上拉电路。
2.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一空乏模式晶体管,该空乏模式晶体管接收该第二供应电压及提供该第一供应电压至该电平转换器。
3.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一空乏模式晶体管,该空乏模式晶体管具有与该第二供应电压耦接的一漏极、提供该第一供应电压的一源极及与该参考电压耦接的一栅极。
4.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一空乏模式晶体管,该空乏模式晶体管具有一负阈值电压及该第一供应电压,该第一供应电压是由该参考电压与该负阈值电压的一大小的总和来决定的。
5.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一空乏模式晶体管,该空乏模式晶体管具有与该第二供应电压耦接的一漏极、提供该第一供应电压的一源极及与一接地电压耦接的一栅极。
6.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一晶体管,该晶体管具有一阈值电压,该阈值电压由该第一供应电压的一大小来决定。
7.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电压调节电路包括一空乏模式晶体管,该空乏模式晶体管具有一负阈值电压,该负阈值电压由该第一供应电压的一大小来决定。
8.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电平转换器是负电平转换器,其将由该电平转换器接收的一信号变宽,是通过包括于该电平转换器电压输出中的一个不在该信号中的负电压大小来实现的。
9.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该上拉电路将由该上拉电路接收的一信号变宽,是通过包括于该上拉电路电压输出中的一个不在该信号中的正电压大小来实现的。
10.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该上拉电路包括一空乏模式n型晶体管及一p型晶体管,该空乏模式n型晶体管及该p型晶体管是串连介于该第一供应电压与该上拉电路的该输出之间,该空乏模式n型晶体管具有与该上拉电路的该输出耦接的一栅极,该p型晶体管具有与该电平转换器耦接的一栅极。
11.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电平转换器包括一第一p型晶体管、一第一n型晶体管、一第二p型晶体管及一第二n型晶体管,其中该第一p型晶体管及该第一n型晶体管在第一串连介于该第一供应电压与该参考电压之间,该第二p型晶体管及该第二n型晶体管在第二串连介于该第一供应电压与该参考电压之间。
12.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电平转换器、该上拉电路、及该电压调节电路是位于一字线驱动电路之中。
13.根据权利要求1所述的集成电路,包括:
其中该电平转换器、该上拉电路、及该电压调节电路是位于一选取与解除选取存储区块的电源切换器之中。
14.根据权利要求1所述的集成电路,更包括:
一电压升压器,该电压升压器同时提供电源至该第一供应电压及该第二供应电压,该电压升压器还提供电源至该电平转换器及该上拉电路。
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