[发明专利]闪存单元结构以及闪存装置有效
| 申请号： | 201210061965.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593158B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 结构 以及 装置 | ||
1.一种闪存单元结构，其特征在于包括：L形ONO结构、布置在所述L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在所述控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在所述二氧化硅区域的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的位线；在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧上，沿着所述L形ONO结构的边界区域构成L形沟道。
2.根据权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述闪存单元结构与字线多晶硅侧的另一闪存单元结构共用字线多晶硅。
3.根据权利要求2所述的闪存单元结构，其特征在于，所述闪存单元结构与所述另一闪存单元结构相对于所述共用的字线多晶硅的对称轴对称布置。
4.根据权利要求1至3之一所述的闪存单元结构，其特征在于，在对所述闪存单元结构进行擦除时，使位线悬浮，对控制栅极多晶硅加-8V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加8V的电压。
5.根据权利要求1至3之一所述的闪存单元结构，其特征在于，在对所述闪存单元结构进行编程时，对位线加5V的电压，对控制栅极多晶硅加8V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加0V的电压，对字线多晶硅加1.5V的电压。
6.根据权利要求1至3之一所述的闪存单元结构，其特征在于，在对所述闪存单元结构进行读取时，对位线加1V的电压，对控制栅极多晶硅加0V的电压，对所述闪存单元结构所在的衬底加0V的电压，对字线多晶硅加3V的电压。
7.根据权利要求3所述的闪存单元结构，其特征在于，在对所述闪存单元结构进行编程时，对所述另一闪存单元结构的位线加大小等于Vdp的电压，对所述另一闪存单元结构的控制栅极多晶硅2加5V的电压。
8.根据权利要求3所述的闪存单元结构，其特征在于，在对所述闪存单元结构进行读取时，对所述另一闪存单元结构的位线加0V的电压，对所述另一闪存单元结构的控制栅极多晶硅加5V的电压。
9.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的闪存单元结构的闪存装置。
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