[发明专利]一种启动电路及具启动电路的电流源有效

专利信息
申请号: 201210061553.9 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN102611292A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 罗贤亮;吴小晔;邵彦生;白骥;王德闯;梁理城 申请(专利权)人: 深圳创维-RGB电子有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 启动 电路 电流
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种启动电路及具启动电路的电流源。

背景技术

启动电路作为保证电子系统正常工作的必需功能模块,其工作速度的快慢决定着整个电子系统启动的快慢。现在电子系统愈加庞大,启动时间不仅受整个系统的制约,而且还受启动电路运行速度的影响,启动电路快速的响应,很大程度上减小了整个系统的启动时间。一个电子系统无论功能怎样强大,如果启动电路运行的可靠性欠佳,那么电子系统难以正常工作,不能发挥出应有的作用。

如今,低功耗的要求已深入电气工程的各个领域,电子系统正常工作后,现有的一些启动电路仍然需要静态功耗,并不符合低功耗的要求。

另一方面,电阻、电容在集成电路工艺中相比普通MOS管而言,需要更大的芯片面积,相应地也增加了整个芯片的成本。故电路模块在实现相同功能、性能不变的前提下,若能避免或尽可能少地使用电阻和电容,就能实现节省芯片面积,降低芯片成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种启动电路,旨在解决现在的启动电路启动速度较慢和在电子系统正常工作后仍然产生静态功耗的问题,同时节约芯片面积、降低成本。

本发明是这样实现的:

一种启动电路,与被启动的电路模块相连,所述启动电路包括:PMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M5、NMOS管M6和电流镜单元;其中,所述电流镜单元由PMOS管M3与PMOS管M4构成;

所述PMOS管M1的栅极、源极和衬底都接直流电源,所述PMOS管M1的漏极同时接所述NMOS管M2的漏极、所述NMOS管M5的栅极和所述NMOS管M6的漏极,所述NMOS管M2的栅极、源极和衬底都接地,所述PMOS管M3和所述PMOS管M4的源极都接直流电源,所述PMOS管M3的栅极和漏极共接后与所述PMOS管M4的栅极相接,所述PMOS管M3的漏极还接所述NMOS管M5的漏极,所述PMOS管M4的漏极作为所述启动电路的第一输出端接所述被启动电路模块,所述NMOS管M5的栅极接所述NMOS管M6的栅极,所述NMOS管M5和所述NMOS管M6的源极都接地,所述NMOS管M6的栅极作为所述启动电路的第二输出端接所述被启动的电路模块。

本发明的目的还在于提供一种包括上述启动电路的电流源。所述电流源还包括:PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PNP三极管Q1、PNP三极管Q2和电阻R1;

所述PMOS管M7、所述PMOS管M8和所述PMOS管M11的源极都接直流电源,所述PMOS管M8的栅极与漏极共接后和所述PMOS管M7、所述PMOS管M11的栅极连接在一起,所述PMOS管M11的漏极为所述电流源的输出端,所述PMOS管M7和所述NMOS管M9的漏极同时接上述启动电路的第一输出端,所述PMOS管M8的漏极接所述NMOS管M10的漏极,所述NMOS管M9的栅极与漏极共接后和所述NMOS管M10的栅极同时接上述启动电路的第二输出端,所述NMOS管M9的源极接所述PNP三极管Q1的发射极,所述NMOS管M10的源极通过所述电阻R1接所述PNP三极管Q2的发射极,所述PNP三极管Q1的基极、集电极和所述PNP三极管Q2的基极、集电极都接地。

本发明提供的启动电路只需6个小面积的MOS管,结构简单,相比其他启动电路而言,节省了芯片面积;运行可靠性高,能快速启动,并且可以根据电子系统的需要,调整启动时间,在电子系统进入稳定工作状态后,启动电路更无需静态功耗。

附图说明

图1是本发明实施例提供的启动电路的电路结构图;

图2是本发明实施例提供的具有图1所示启动电路的电流源的电路结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

图1是本发明实施例提供的启动电路的电路结构图,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分。如图所示:

一种启动电路100,与被启动的电路模块200相连,启动电路100包括:PMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M5、NMOS管M6和电流镜单元;其中,电流镜单元由PMOS管M3与PMOS管M4构成;

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