[发明专利]铝铜膜的物理气相沉积方法无效

专利信息
申请号: 201210061105.9 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN102586737A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 刘峰松;徐雷军;归剑;孙远;何德安 申请(专利权)人: 上海先进半导体制造股份有限公司
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/35
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 铝铜膜 物理 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种铝铜膜的物理气相沉积方法,包括:

将衬底送入处理腔室,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积;

其中,所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座;所述铝铜靶材背面设有磁控配件组,所述腔体中设有第一冷却水系统,所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统,所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器;

其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。

2.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述铝铜靶材中,铝的质量配比为99.5%,铜的质量配比为0.5%。

3.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,将所述衬底送入处理腔室之前,还包括:将所述衬底送入一加热腔室,对所述衬底进行加热。

4.如权利要求3所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述加热的温度范围200℃~350℃。

5.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述衬底基座表面设有数个通气孔,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,向所述衬底背面进行氩气喷射。

6.如权利要求5所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述氩气喷射的气压范围大于等于6000mtor。

7.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统的冷却水的温度范围为14℃~22℃。

8.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第一冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。

9.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第二冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。

10.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第三冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。

11.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,所述腔体内的压力范围为2mtor~5mtor。

12.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,利用加热器对所述衬底进行加热,所述加热器的温度设定范围为255℃~275℃。

13.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积之后,还包括:将所述衬底送入一冷却腔室进行冷却。

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