[发明专利]铝铜膜的物理气相沉积方法无效
申请号: | 201210061105.9 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102586737A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 刘峰松;徐雷军;归剑;孙远;何德安 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/35 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝铜膜 物理 沉积 方法 | ||
1.一种铝铜膜的物理气相沉积方法,包括:
将衬底送入处理腔室,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积;
其中,所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座;所述铝铜靶材背面设有磁控配件组,所述腔体中设有第一冷却水系统,所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统,所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器;
其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。
2.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述铝铜靶材中,铝的质量配比为99.5%,铜的质量配比为0.5%。
3.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,将所述衬底送入处理腔室之前,还包括:将所述衬底送入一加热腔室,对所述衬底进行加热。
4.如权利要求3所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述加热的温度范围200℃~350℃。
5.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述衬底基座表面设有数个通气孔,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,向所述衬底背面进行氩气喷射。
6.如权利要求5所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述氩气喷射的气压范围大于等于6000mtor。
7.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统的冷却水的温度范围为14℃~22℃。
8.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第一冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。
9.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第二冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。
10.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述第三冷却系统提供的冷却水的流量范围大于等于3gallon/min。
11.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,所述腔体内的压力范围为2mtor~5mtor。
12.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中,利用加热器对所述衬底进行加热,所述加热器的温度设定范围为255℃~275℃。
13.如权利要求1所述的铝铜膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述衬底表面进行铝铜膜沉积之后,还包括:将所述衬底送入一冷却腔室进行冷却。
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