[发明专利]化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池

权利要求书

1.一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法，该太阳能电池的制作包括双渐层结构的吸收材料层的制作，其特征在于：所述吸收材料层是在真空腔体内于500-600℃以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行制作，该吸收材料层的双渐层的制作过程包括如下三阶段：

第一阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；

第二阶段是于正规化功率0.1W±10%时导入铜镓，而于正规化功率0.2W±10%时导入铜，并于正规化功率0.75W±10%时导入铟，且该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；以及

第三阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%时导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5。

2.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一阶段占总制作过程时间的45%±20%。

3.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第二阶段占总制作过程时间的50%±20%。

4.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第三阶段占总制作过程时间的5%±5%。

5.一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法，该太阳能电池的制作包括单层结构的吸收材料层的制作，其特征在于：所述吸收材料层是于真空腔体内在500-600℃以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行制作，该吸收材料层的单层制作过程为单阶段制作：该阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5。

6.如权利要求5所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述单阶段占总制作过程时间的100%。

7.一种如权利要求1或5所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法制作的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池包含有钠玻璃基板、设于钠玻璃基板上的钼材料层、设于钼材料层上的吸收材料层、设于吸收材料层上的硫化镉材料层、设于硫化镉材料层上的氧化锌材料层、及设于氧化锌材料层上的透明导电层。

8.一种如权利要求1或5所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法制作的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池包含有不锈钢基板、设于不锈钢基板上的铬材料层、设于铬材料层上的钼钠材料层、设于钼钠材料层上的钼材料层、设于钼材料层上的吸收材料层、设于吸收材料层上的硫化镉材料层、设于硫化镉材料层上的氧化锌材料层、及设于氧化锌材料层上的透明导电层。