[发明专利]ITO薄膜蚀刻方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种用于触摸屏的透明薄膜的蚀刻方法，特别是涉及一种ITO薄膜蚀刻方法。

【背景技术】

掺锡氧化铟(即Indium Tin Oxide，简称ITO)，是一种n型半导体材料，由于具有高导电率、高可见光透过率、高机械硬度和化学稳定性，因此，它是一种常用的透明导电材料，可作为各类触摸屏的透明电极。如图1所示，在实际的运用中，ITO层13先是采用物理真空方法蒸镀于一定的基材11，比如玻璃，聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，简称PET)，表面制备成ITO薄膜10，然后根据需要，将ITO薄膜10蚀刻成特定的图案作为透明电极。基材为PET的ITO薄膜，因为具有柔软特性，近些年运用非常广泛。PET基材的ITO薄膜作为电极的运用中，是被蚀刻成特定的图案。如图2所示，由于ITO层13的膨胀系数与基材PET 11的膨胀系数差异巨大，导致ITO薄膜10的蚀刻区域与非蚀刻区域的应力差异显著，在经过一次完整的银浆烘烤热历程(升温-恒温-降温)后，在ITO非蚀刻区域产生明显的应力差弯曲形变，类似具有温度记忆功能双金属贴片之形变。此应力差弯曲形变跟随ITO薄膜的图案分布于ITO薄膜表面，在贴合成层状电容式触摸屏后，仍然存留在ITO薄膜表面不会消失。在一般光线及视角下就可以发现此图案，并且在大视角的情况下观察，此现象更加明显。

【发明内容】

鉴于上述状况，有必要提供一种可减轻ITO薄膜的图案的可视性的ITO薄膜蚀刻方法。

一种ITO薄膜蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一ITO薄膜，所述ITO薄膜包括透明树脂基板及形成于所述透明树脂基板上的ITO导电层；

将所述ITO薄膜位于预设视窗区域之外的ITO导电层蚀刻除去，所述ITO薄膜上留下的ITO导电层覆盖整个所述预设视窗区域；

在所述ITO薄膜的ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，形成线路；

对印刷有导电银浆的所述ITO薄膜进行烘烤热处理；及

采用激光蚀刻的方法蚀刻所述预设视窗区域之内的ITO导电层，以形成图案。

在其中一个实施例中，所述激光蚀刻的步骤采用的激光器功率为10～25瓦。

在其中一个实施例中，所述激光蚀刻的步骤采用激光的光斑直径为30～40微米。

在其中一个实施例中，所述激光蚀刻的步骤采用的激光频率为150～250千赫兹。

在其中一个实施例中，所述激光蚀刻的步骤采用的激光的光斑移动速度为1000～3000毫米/秒。

在其中一个实施例中，在形成所述图案之后，还包括如下步骤：

在显微镜下检查ITO薄膜的线路通断情况，若合格，则在ITO薄膜的ITO导电层所在的一侧覆盖保护膜。

在其中一个实施例中，所述ITO薄膜烘烤的温度为120～160度。

在其中一个实施例中，所述ITO薄膜烘烤的时间为30～120分钟。

在其中一个实施例中，所述预设视窗区域与触摸屏的视窗区域大小相等。

在其中一个实施例中，所述ITO薄膜位于所述预设视窗区域之外的ITO导电层采用化学蚀刻或光蚀刻的方法除去。

由于ITO薄膜在进行银浆烘烤热处理过程后，整块ITO薄膜的周缘应力差弯曲形变现象较为严重，但ITO薄膜预设视窗区域内相对保持平整完好，再通过激光蚀刻方法形成图案，避免形成的图案经过烘烤热处理而在预设视窗区域内产生应力差弯曲形变现象，因此，上述ITO薄膜蚀刻方法可减轻ITO薄膜的图案的可视性。

另外，上述ITO薄膜蚀刻方法采用激光蚀刻的方法除去ITO导电层，避免采用对环境污染较为严重的化学蚀刻方法，因此，上述ITO薄膜蚀刻方法对环境的污染较小。

【附图说明】

图1为传统的ITO薄膜蚀刻后的结构示意图；

图2为图1所示蚀刻后的ITO薄膜经过银浆烘烤处理之后的结构示意图；

图3为本发明实施方式ITO薄膜蚀刻方法的流程图；

图4为采用本发明实施方式ITO薄膜蚀刻方法的蚀刻后的ITO薄膜的平面示意图；

图5为图4所示的蚀刻后的ITO薄膜沿III-III线的剖面图。

【具体实施方式】