[发明专利]电激发光显示面板的像素结构无效
申请号: | 201210059335.1 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN102593150A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 朱妙采;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 像素 结构 | ||
技术领域
本发明是关于一种电激发光显示面板的像素结构,尤指一种包括四个不同颜色的子像素区且相邻的两个子像素区共享一有机发光层的电激发光显示面板的像素结构。
背景技术
电激发光显示面板(例如有机发光二极管显示面板)由于具有主动发光、高对比、薄厚度与广视角等优点,可望成为新一代平面显示面板的主流产品。已知电激发光显示面板的像素结构是由三个不同原色的子像素区所构成,例如红色子像素区、绿色子像素区与蓝色子像素区,并通过控制红光、绿光与蓝光的灰阶值达到全彩化的显示效果。然而,部分颜色例如亮黄色或金色并不在红色、绿色与蓝色三种原色所组成的色域(color gamut)内,因此电激发光显示面板无法准确地显示出亮黄色或金色画面,造成了电激发光显示面板的颜色表现无法进一步提升。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种电激发光显示面板的像素结构,以增加电激发光显示面板的色域与色饱和度。
本发明的一较佳实施例提供一种电激发光显示面板的像素结构,其具有一第一子像素区、一第二子像素区、一第三子像素区与一第四子像素区。电激发光显示面板的像素结构包括一第一阳极、一第二阳极、一第三阳极、一第四阳极、一第一有机发光层、一第二有机发光层、一第一阴极、一第二阴极、一第三阴极以及一第四阴极。第一阳极与第一阴极设置于第一子像素区内,且其间形成一第一微共振腔;第二阳极与第二阴极设置于第二子像素区内,且其间形成一第二微共振腔;第三阳极与第三阴极设置于第三子像素区内,且其间形成一第三微共振腔;第四阳极与第四阴极设置于第四子像素区内,且其间形成一第四微共振腔。第一微共振腔、第二微共振腔、第三微共振腔与第四微共振腔具有不同的共振腔长度。第一有机发光层设置于第一子像素区与第二子像素区内,用以于第一子像素区产生一第一原色光,以及用以于第二子像素区产生一第二原色光。第二有机发光层设置于第三子像素区与第四子像素区内,用以于第三子像素区产生一第三原色光,以及用以于第四子像素区产生一第四原色光。第一原色光、第二原色光、第三原色光与第四原色光具有不同的波长频谱。
本发明的另一较佳实施例一种电激发光显示面板的像素结构,其具有一第一子像素区、一第二子像素区、一第三子像素区与一第四子像素区。电激发光显示面板的像素结构包括一第一阳极、一第二阳极、一第三阳极、一第四阳极、一第一有机发光层、一第二有机发光层、一第一阴极、一第二阴极、一第三阴极以及一第四阴极。第一阳极与第一阴极设置于第一子像素区内,且其间形成一第一微共振腔;第二阳极与第二阴极设置于第二子像素区内,且其间形成一第二微共振腔;第三阳极与第三阴极设置于第三子像素区内,且其间形成一第三微共振腔;第四阳极与第四阴极设置于第四子像素区内,且其间形成一第四微共振腔。第一微共振腔、第二微共振腔、第三微共振腔与第四微共振腔具有不同的共振腔长度。第一有机发光层设置于第一子像素区内,用以于第一子像素区产生一第一原色光。第二有机发光层设置于第二子像素区、第三子像素区以及第四子像素区内,用以于第二子像素区产生一第二原色光,用以于第三子像素区产生一第三原色光,以及用以于第四子像素区产生一第四原色光。第一原色光、第二原色光、第三原色光与第四原色光具有不同的波长频谱。
附图说明
图1绘示本发明的第一较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
图2绘示本发明的第一较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构所发出的光线的波长/强度关系图。
图3绘示本发明的第一较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构的上视图。
图4绘示本发明的第一较佳实施例的变化型的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
图5绘示本发明的第二较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
图6绘示本发明的第三较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
图7绘示本发明的第三较佳实施例的变化型的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
图8绘示本发明的第四较佳实施例的电激发光显示面板的像素结构的示意图。
[主要元件标号说明]
10电激发光显示面板的像素结构 101第一子像素区
102第二子像素区 103第三子像素区
104第四子像素区 1基板
121第一阳极 122第二阳极
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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