[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括一个或多个像素单元与外围电路区域，每个像素单元包括感光区域与像素电路区域，其中所述感光区域的表面高于所述像素电路区域与所述外围电路区域的表面。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区域的表面比所述像素电路区域与所述外围电路区域的表面至少高1000埃。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区域呈台状凸起。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述台状凸起的感光区域的侧面相对于其底面的斜率小于90度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括钝化层以及所述钝化层中的一层或多层金属互连，其中，所述感光区域的表面高于所述一层或多层金属互连中的最底层金属互连的底部。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述外围电路区域与所述像素电路区域的表面平齐。

7.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

a.提供衬底，所述衬底包括感光区域、像素电路区域以及外围电路区域；

c.部分刻蚀所述衬底，在所述像素电路区域形成第二沟槽并在所述外围电路区域形成第三沟槽，以使得所述感光区域的表面高于所述像素电路区域以及所述外围电路区域的表面；

e.在所述感光区域形成光电二极管，在所述像素电路区域形成像素控制电路，并在所述外围电路区域形成外围控制电路。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

在所述步骤c之前，还包括：b.在所述像素电路区域与外围电路区域形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部低于所述第二沟槽与所述第三沟槽的底部；以及

在所述步骤c之后，还包括：d.在所述第一沟槽中填充介电材料以形成介电隔离区。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步骤b包括：

在所述衬底上形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层；

部分刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成第一沟槽。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步骤c包括：

在所述第一沟槽中填充有机光阻材料；

刻蚀所述衬底与所述有机光阻材料，以在所述像素电路区域形成第二沟槽，并在所述外围电路区域形成第三沟槽，其中所述第二沟槽与所述第三沟槽浅于所述第一沟槽；

移除所述有机光阻材料。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步骤d包括：

在所述第一沟槽、第二沟槽以及所述第三沟槽中填充介电材料；

移除所述第二沟槽以及所述第三沟槽中的介电材料。

12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤c之后，还包括：

g.部分刻蚀衬底，以在所述第二沟槽与所述第三沟槽内形成第一沟槽；

h.在所述第一沟槽中填充介电材料以形成介电隔离区。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述步骤g包括：

在所述衬底上形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层，露出所述第二沟槽与所述第三沟槽中的部分区域；

以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底以在所述第二沟槽与所述第三沟槽内形成第一沟槽。

14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述步骤h包括：

在所述第一沟槽、所述第二沟槽以及所述第三沟槽中填充介电材料；

移除所述第二沟槽以及所述第三沟槽中的介电材料。

15.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤e之后，还包括：

f.在所述衬底上形成一层或多层金属互连。

16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述步骤f包括：

采用镶嵌工艺形成所述一层或多层金属互连的最底层金属互连，并且使得所述感光区域表面高于所述一层或多层金属互连中的最底层金属互连的底部。