[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置和电子设备无效
| 申请号： | 201210058677.1 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683605A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 三矢将之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 装置 显示装置 电子设备 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，具有：
阳极，
阴极，
设置于所述阳极与所述阴极之间、通过对这些电极通电而发出磷光的磷光发光层和发出荧光的荧光发光层，和
设置于所述磷光发光层与所述荧光发光层之间的中间层；
所述中间层具备相互接触的空穴输送层和电子输送层，所述电子输送层位于所述阳极侧，所述空穴输送层位于所述阴极侧。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述磷光发光层位于所述阳极与所述中间层之间，所述荧光发光层位于所述阴极与所述中间层之间。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述空穴输送层的三重态能量和所述电子输送层的三重态能量均大于所述磷光发光层的三重态能量。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，所述空穴输送层的平均膜厚为2nm～10nm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其中，所述电子输送层的平均膜厚为2nm～10nm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其中，所述空穴输送层与所述电子输送层的膜厚之和为15nm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光元件，其中，具有第2磷光发光层，所述第2磷光发光层设置于所述阳极与所述磷光发光层之间且通过在所述阳极与所述阴极之间通电而发出磷光。
8.一种发光装置，其特征在于，具备权利要求1～7中任一项所述的发光元件。
9.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求8所述的发光装置。
10.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求9所述的显示装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
