[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

基底；

至少一个串，从基底垂直延伸，所述至少一个串包括含有多晶硅材料的沟道；

位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串，位线电流控制电路被构造为根据温度的减小来增加提供给所述至少一条位线的电流量，以使当温度减小时流过所述至少一个串的沟道的电流增加。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个串还包括：

在沟道上的多个栅极结构，所述多个栅极结构与沟道一起形成存储晶体管。

3.如权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，

所述非易失性存储装置被构造为当提供给所述至少一条位线的电流量增加时增加流过存储晶体管中的至少一个存储晶体管的电流。

4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，

位线电流控制电路被构造为在判断选择的一个存储晶体管的状态的操作期间控制提供给所述至少一条位线的电流量。

5.如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，

所述操作包括读取操作、编程验证操作和擦除验证操作中的至少一个。

6.如权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，不根据温度减小来调整提供给所述多个栅极结构的电压，位线电流控制电路包括：

锁存单元，与感测节点连接；

NMOS晶体管，连接在所述至少一条位线和感测节点之间，并被构造为响应于控制信号而操作；

加载单元，被构造为向感测节点提供电流；

控制信号产生器，被构造为产生控制信号，控制信号产生器被构造为对控制信号的电压进行控制，以当温度减小时增加流过NMOS晶体管的电流量。

7.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，

控制信号产生器被构造为当非易失性存储装置的温度低于参考温度时对控制信号的电压进行控制。

8.一种非易失性存储装置的读取方法，所述非易失性存储装置包括基底、多条位线和与基底垂直地延伸的多个串，所述多个串分别连接到所述多条位线，并且所述多个串包括含有多晶硅材料的沟道，所述读取方法包括下述步骤：

在预充电时段向所述多条位线提供预充电电流；

在感测时段向所述多条位线提供感测电流；

锁存每条位线的电压变化以作为单元数据，

其中，根据温度的减小来增加预充电电流和感测电流，从而在温度减小时增加流过所述多个串的沟道的电流。

9.如权利要求8所述的读取方法，其中，所述多个串中的每一个串还包括沟道上的多个栅极结构，所述多个栅极结构与沟道一起形成存储晶体管，

所述方法还包括下述步骤：

当提供给所述多条位线的电流量增加时，增加流过存储晶体管的电流，

其中，所述方法不包括根据温度减小来调整施加到所述多个栅极结构的电压。

10.如权利要求7所述的读取方法，其中，

所述方法还包括下述步骤：

当非易失性存储装置的温度低于参考温度时，调整预充电电流和感测电流。