[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

对半导体衬底照射离子种，由此在所述半导体衬底中形成损伤区域；

在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；

将所述基底衬底和所述半导体衬底隔着所述接合层彼此贴合；

通过加热设备在第一温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底；以及

通过快速热退火设备在第二温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底，使得在所述半导体衬底的损伤区域处分离的半导体层隔着所述接合层形成在所述基底衬底上。

2.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

将离子种注入半导体衬底中，由此在所述半导体衬底中形成损伤区域；

在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；

将所述基底衬底和所述半导体衬底隔着所述接合层彼此贴合；

通过加热设备在第一温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底；

通过快速热退火设备在第二温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底，使得在所述半导体衬底的损伤区域处分离的半导体层隔着所述接合层形成在所述基底衬底上，

对所述半导体层的一部分照射第18族元素以形成吸杂位置区域；以及

在第三温度加热所述半导体层，其中所述半导体层中的金属元素扩散至所述吸杂位置区域中。

3.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

将离子种注入半导体衬底中，由此在所述半导体衬底中形成损伤区域；

在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；

将所述基底衬底和所述半导体衬底隔着所述接合层彼此贴合；

通过加热设备在第一温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底；

通过快速热退火设备在第二温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底，使得在所述半导体衬底的损伤区域处分离的半导体层隔着所述接合层形成在所述基底衬底上，

蚀刻所述半导体层的一部分以形成半导体岛状结构；

在所述半导体岛状结构上形成绝缘膜；

隔着所述绝缘膜在所述半导体岛状结构上形成栅电极；以及

在所述绝缘膜上形成源电极和漏电极；其中所述源电极和所述漏电极连接至所述半导体层的源极部分和漏极部分。

4.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

将离子种注入半导体衬底中，由此在所述半导体衬底中形成损伤区域；

在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；

将所述基底衬底和所述半导体衬底隔着所述接合层彼此贴合；

通过加热设备在第一温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底；

通过快速热退火设备在第二温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底，使得在所述半导体衬底的损伤区域处分离的半导体层隔着所述接合层形成在所述基底衬底上，

蚀刻所述半导体层的一部分以形成半导体岛状结构；

在所述半导体岛状结构上形成绝缘膜；

隔着所述绝缘膜在所述半导体岛状结构上形成栅电极；

对所述半导体岛状结构的区域照射第18族元素以形成吸杂位置区域，其中所述吸杂位置区域与所述栅电极不重叠；

在第三温度加热所述半导体岛状结构，其中所述半导体岛状结构中的金属元素扩散至所述吸杂位置区域中；以及

在所述绝缘膜上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极连接至所述半导体层的源极部分和漏极部分。