[发明专利]沉积材料及形成方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

向沉积腔室引入第一前体并持续第一时间；

在引入所述第一前体之后，向所述沉积腔室引入第一清除气体并持续第二时间，其中所述第二时间大于所述第一时间；

在引入所述第一清除气体之后，向所述沉积腔室引入第二前体并持续第三时间，其中所述第三时间大于或等于所述第一时间；以及

在引入所述第二前体之后向所述沉积腔室引入第二清除气体并持续第四时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第四时间大于所述第三时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二时间和所述第四时间的第一总和大于所述第一时间和所述第三时间的第二总和。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二前体含有氧。

5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

执行第一循环以形成介电材料的第一单层，所述第一循环包括：

使衬底的表面与第一前体反应并持续第一时间周期以形成第一前体表面；

从所述第一前体表面清除所述第一前体并持续第二时间，其中，所述第二时间周期大于所述第一时间周期；

用第二前体氧化所述第一前体表面以形成所述介电材料的所述第一单层，氧化所述第一前体表面持续第三时间周期，其中，所述第三时间周期大于或等于所述第一时间周期；以及

从所述介电材料的所述第一单层清除所述第二前体并持续第四时间周期，其中，所述第四时间周期大于所述第三时间周期；以及

在执行所述第一循环之后执行第二循环以形成所述介电材料的第二单层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一前体包含锆。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二循环进一步包括：

使所述介电材料的所述第一单层的表面与所述第一前体反应并持续第五时间周期以形成第二前体表面；

从所述第二前体表面清除所述第一前体并持续第六时间周期，其中，所述第六时间周期小于所述第二时间周期；

用所述第二前体氧化所述第二前体表面以形成所述介电材料的第二单层，氧化所述第二前体表面持续第七时间周期，所述第七时间周期小于所述第三时间周期；以及

从所述第二单层清除所述第二前体并持续第八时间周期，其中，所述第八时间周期小于所述第四时间周期。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括执行第三循环以形成所述介电材料的第三单层，所述执行第三循环发生在所述执行第二循环之后，所述第三循环与所述第一循环相同。

9.一种半导体器件，包括：

第一层，包括第一材料，所述第一层包括多个第一单层，所述多个第一单层具有第一密度；以及

第二层，位于所述第一层上方，所述第二层包括所述第一材料，所述第二层包括多个第二单层，所述多个第二单层具有小于所述第一密度的第二密度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一材料是氧化锆。