[发明专利]光耦合装置

权利要求书

1.一种光耦合装置，包括：

发光元件；

第一光电二极管，具有与低电位侧电源相连的阳极和阴极，所述第一光电二极管接收由所述发光元件生成的光信号，并将该光信号转换为第一电信号；

第一反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器，所述输入端与所述第一光电二极管的阴极相连，所述第一反相放大器从所述输出端输出将所述第一电信号反转而得的第一信号；

第二光电二极管，具有与所述低电位侧电源相连的阳极和阴极；

第二反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器，且所述第二反相放大器的所述输入端与所述第二光电二极管的阴极相连，所述第二反相放大器从输出端输出第二信号；以及

比较器，接收所述第一信号和第二信号，且将所述第二信号作为基准电压，来比较所述第一信号与第二信号，且输出比较放大后的信号；

其中，所述第一光电二极管的第一结电容与所述第一反馈电阻之积及所述第二光电二极管的第二结电容与所述第二反馈电阻之积被设定为相同值，且所述第二结电容被设定为小于所述第一结电容。

2.根据权利要求1所述的装置，还具有遮光板，可通过该遮光板进行朝向所述第二光电二极管的光的遮光。

3.根据权利要求1所述的装置，所述第一反馈电阻和第二反馈电阻中的至少一个分别由串联连接的多个电阻构成。

4.根据权利要求1所述的装置，所述第二光电二极管是伪光电二极管。

5.根据权利要求1所述的装置，至少将所述第一光电二极管和第二光电二极管与所述第一反相放大器和第二反相放大器形成在同一半导体芯片上。

6.根据权利要求1所述的装置，所述第一反相放大器和第二反相放大器分别由双极晶体管、CMOS、BiCMOS或HFET构成。

7.一种光耦合装置，包括：

发光元件；

光电二极管，具有与低电位侧电源相连的阳极和阴极，所述光电二极管接收由所述发光元件生成的光信号，且将该光信号转换为第一电信号；

第一反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器，所述输入端与所述光电二极管的阴极相连，且从所述输出端输出将所述第一电信号反转而得的第一信号；

电容器，具有与所述低电位侧电源相连的一端和另一端；

第二反相放大器，具有输入输出端、以及并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器，所述第二反相放大器的所述输入端与所述电容器的所述另一端相连，所述第二反相放大器从所述输出端输出第二信号；以及

比较器，接收所述第一信号和第二信号，且将所述第二信号作为基准电压，来比较所述第一信号与第二信号，输出比较放大后的信号，其中，

所述光电二极管的结电容与所述第一反馈电阻之积及所述电容器的电容与所述第二反馈电阻之积被设定为相同值。

8.根据权利要求7所述的装置，还具有遮光板，可通过该遮光板进行朝向所述电容器的光的遮光。

9.根据权利要求7所述的装置，所述电容器具有MOS型或MIS型结构。

10.根据权利要求7所述的装置，所述第一反馈电阻和第二反馈电阻中的至少一个分别由串联连接的多个电阻构成。

11.根据权利要求7所述的装置，所述电容器的所述电容设定为比所述光电二极管的所述结电容小。

12.根据权利要求7所述的装置，至少将所述光电二极管、所述电容器和所述第一反相放大器和第二反相放大器形成在同一半导体芯片上。

13.根据权利要求7所述的装置，所述第一反相放大器和第二反相放大器分别由双极晶体管、CMOS、BiCMOS或HFET构成。