[发明专利]一种NiCuZn系铁氧体材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及NiCuZn系铁氧体材料及其制造方法，特别是涉及一种应用于线圈元件的改善了Q值的NiCuZn系铁氧体材料及其制造方法。

背景技术

为了达到改善NiCuZn系铁氧体材料Q值的目的，中国专利CN200410080412.7授权公告了一种NiCuZn系铁氧体材料及其制造方法，所述NiCuZn系铁氧体材料除了不可避免的夹杂物以外，只把TiO₂作为辅助成份，设TiO₂含量为x时，x为0.1wt％-4.0wt％。主要成份为由43.0～49.8mol％Fe₂O₃、4.0～13.0mol％CuO、5.0～35.0mol％ZnO、余量为NiO组成。采用该配方的铁氧体材料可以提高铁氧体材料的电阻率从而实现电子部件的高可靠性，同时间接的减少了铁氧体材料的涡流损耗，从而提高铁氧体材料的Q值，该专利主要针对的是铁氧体材料电阻率的改善对Q值的改善只是低频1MHz下铁氧体材料Q值改善。

中国专利CN200410075182.5公开了一种铁氧体材料、铁氧体烧结体以及感应体元件，该发明提供含有由Fe₂O₃：45.5～48.0mol％、CuO：5～10.5mol％、ZnO：26～30mol％、余量实质上为NiO组成的主成份，且按CoO换算计为0.005～0.045wt％的氧化钴作为副成份的铁氧体材料。该铁氧体材料能够极大的改善铁氧体材料的温度系数，同时改善铁氧体材料在低频125KHz下的Q值；与本发明不同的是未添加助烧剂Bi₂O₃同时只是针对改善铁氧体材料的低频Q值。

此外，中国专利CN101834047A公开了一种铁氧体材料及其制作的叠层片式电子元件，所述一种NiCuZn系铁氧体，其特征是：Fe₂O₃：42.5-49.1mol％、ZnO：11.5-32.0mol％、CuO：10.6-13.9mol％、Bi₂O₃：0.3-1.3mol％、Sb₂O₃：0.3-1.1mol％、余量由氧化镍(NiO换算)构成。该铁氧体材料配方可以改善温度系数、耐电流冲击、高频下Q值等。但是添加这些低熔点的氧化物或低熔点的玻璃在铁氧体材料烧结体中容易引起异常晶粒长大且容易引起磁性能恶化等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种NiCuZn系铁氧体材料，使其改善了在20MHz下的Q值、初始磁导率μi在70-100之间，并且不易发生晶粒异常长大。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：一种NiCuZn系铁氧体材料，主成份按mol百分比由47.5-49.5mol％的Fe₂O₃，14.5-20.5mol％的ZnO，7.3-9.3mol％的CuO，余量为NiO组成，还加入主成份重量0.2-0.6wt％的助烧剂Bi₂O₃和主成份重量0.1-0.5wt％的添加剂Co₂O₃。

本发明所述主成份中Fe₂O₃优选为48.8mol％。

本发明所述主成份中ZnO优选为17.5-20mol％。

本发明所述主成份中ZnO优选为18.8mol％。

本发明所述主成份中CuO优选为8.3mol％。

本发明所述助烧剂Bi₂O₃优选为0.3-0.5wt％。

本发明所述助烧剂Bi₂O₃优选为0.4wt％。

本发明所述添加剂Co₂O₃优选为0.2-0.4wt％。

本发明所述添加剂Co₂O₃优选为0.3wt％。