[发明专利]电荷积分多线性图像传感器有效
申请号: | 201210056894.7 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102623479A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | F·迈耶尔 | 申请(专利权)人: | E2V半导体公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;蹇炜 |
地址: | 法国圣*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 积分 线性 图像传感器 | ||
1.一种以时延和电荷积分进行操作的电荷转移图像传感器,所述传感器包括:N个相邻的像素线,每个像素线有P个像素,用于通过由数个像素线相继观察同一图像线并累积由各个线中的给定排列的像素中的图像点所生成的电荷,所述像素形成在第一类型导电性的半导电层中,所述第一类型导电性的半导电层由对光透明的绝缘栅极覆盖;以及被设置用于向所述栅极施加交替的电势,以容许存储电荷并且然后从一个栅极向下一个栅极定向转移所述电荷的构件,其特征在于:像素包括所述半导电层以上的一连串数个绝缘栅极,一个像素的所述栅极通过位于第二类型导电性的掺杂区域以上的狭窄未覆盖的间隙彼此分离并且与另一线的相邻像素的所述栅极分离,所述第二类型导电性的掺杂区域由所述第一类型的掺杂表面区域覆盖,所述表面区域保持在同一参考电势,相邻栅极之间的所述狭窄间隙的宽度使得当与所述间隙相邻的栅极接收交替的高和低电势时,所述第二类型的所述掺杂区域的内部电势在所述狭窄间隙的整个宽度中被更改。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于:所述参考电势是所述第一类型的所述半导电层的公共电势。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于:所述第一类型导电性的所述表面区域均与毗连所述半导电层的相同类型的深扩散部相邻。
4.根据权利要求1-3中的一项所述的图像传感器,其特征在于:所述像素包括通过狭窄间隙分离的四个相邻的栅极,并且其特征在于:通过四个相位来控制所述像素,即,各像素中的同一行的所有的所述栅极接收取自所述四个相位的同一相位。
5.根据权利要求1-3中的一项所述的图像传感器,其特征在于:所述像素包括通过狭窄间隙分离的三个相邻的栅极,并且其特征在于:通过三个相位来控制所述像素,即,各像素中的同一行的所有的所述栅极接收取自所述三个相位的同一相位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的