[发明专利]一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法

权利要求书

1.一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：该方法实现的步骤如下：

步骤一：在基体上制备热绝缘薄膜；

步骤二：在热绝缘薄膜上制备电极压焊块；

步骤三：在两电极压焊块之间的热绝缘薄膜上，制备无定形碳或碳化硅薄膜作为热阻薄膜，并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化；

步骤四：对步骤一至步骤三所制成的多个光源芯片进行划片，将划片后的光源芯片与处理电路连接并进行封装，即完成了多个光源的制作。

2.如权利要求1所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述步骤一中，热绝缘薄膜的制备是以表面已镀有二氧化硅绝缘薄膜的硅单晶为基体，制备一层无机-有机杂化的多孔SiO₂薄膜。

3.如权利要求2所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：硅单晶基体的面积为Φ10mm～Φ100mm或10mm×10mm～100mm×100mm；所述的无机-有机杂化的多孔SiO₂薄膜的厚度为2μm～6μm。

4.如权利要求1所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述步骤二中，电极压焊块的制备是采用多靶直流磁控溅射法在无机-有机杂化的多孔SiO₂薄膜上制备铂或钛金属薄膜，并采用正胶剥离法完成图形化。

5.如权利要求4所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述铂或钛金属薄膜的厚度为100nm-1000nm，大小尺寸在Φ0.5mm～Φ2mm或0.5mm×0.5mm～2mm×2mm范围内。

6.如权利要求1所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述步骤三中，热阻薄膜的制备采用金属有机物化学气相沉积法MOCVD或等离子增强化学沉积法PECVD。

7.如权利要求1所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述步骤三中，热阻薄膜的厚度为300nm～1000nm。

8.如权利要求1或6或7所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：所述步骤三中，热阻薄膜的图形化后呈弓字形，且两个接头连接电极压焊块。

9.如权利要求8所述的一种用于非色散型光谱气体分析仪的光源制备方法，其特征在于：弓字形的线条宽度为100～200μm，相邻平行条纹之间的间隙为10～50μm。