[发明专利]生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210056851.9 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102560675A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;杨慧 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 ligao sub 衬底 极性 inn 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜，其特征在于，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性a面InN缓冲层及生长在非极性a面InN缓冲层上的非极性a面InN外延层；所述非极性a面InN缓冲层是在衬底温度为300-350℃时生长的InN层；所述非极性a面InN层是在衬底温度为500-550℃时生长的InN层。
2.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜，其特征在于，所述非极性a面InN缓冲层的厚度为50-100nm。
3.生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，选择的晶体取向为(001)晶面；
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在900-1000℃下高温烘烤3-5h后空冷至室温；
(3)对衬底进行表面清洁处理；
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性a面InN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为300-350℃，反应室压力为4-5×10-5Pa、V/III比为35-50、生长速度为0.5-0.7ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性a面InN外延层，工艺条件为：衬底温度升至500-550℃，反应室压力为3-5×10-5pa、V/III比为30-40、生长速度为0.7-0.9ML/s。
4.根据权利要求3所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜的制备方法，其特征在于，所述非极性a面InN缓冲层的厚度为50-100nm。
5.根据权利要求3所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述对衬底进行表面清洁处理，具体为：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5-10分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至850-900℃，高温烘烤20-30分钟，除去衬LiGaO2底表面残余的杂质。
6.根据权利要求5所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜的制备方法，其特征在于，所述超高真空条件为压力小于6×10-7Pa。
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