[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管，包括：依次层叠在衬底上的N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述电子阻挡层包括至少一个第一铝镓氮层和至少一个第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层和第二铝镓氮层交替层叠布置，相邻的第一铝镓氮层和第二铝镓氮层的铝组分不同。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层和所述第二铝镓氮层有多个，多个所述第一铝镓氮层的铝组分是逐层渐变的，多个所述第二铝镓氮层的铝组分是固定不变的。

3.根据权利要求2所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层中铝组分最低的第一铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最低的第一铝镓氮层到所述量子阱结构层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递增；从所述铝组分最低的第一铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递增。

4.根据权利要求2所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层中铝组分最高的第一铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最高的第一铝镓氮层到所述量子阱结构层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递减；从所述铝组分最高的第一铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递减。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层和所述第二铝镓氮层有多个，多个所述第一铝镓氮层的铝组分是逐层渐变的，多个所述第二铝镓氮层的铝组分也是逐层渐变的，且所述第一铝镓氮层的铝组分和所述第二铝镓氮层的铝组分的变化趋势相同。

6.根据权利要求5所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层中铝组分最高的第一铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最高的第一铝镓氮层到所述量子阱结构层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递减，从所述铝组分最高的第一铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递减；所述第二铝镓氮层中组分最高的第二铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最高的第二铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第二铝镓氮层的铝组分逐层递减，从所述铝组分最高的第二铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第二铝镓氮层的铝组分逐层递减。

7.根据权利要求5所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层中铝组分最低的第一铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最低的第一铝镓氮层到所述量子阱结构层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递增，从所述铝组分最低的第一铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第一铝镓氮层的铝组分逐层递增；所述第二铝镓氮层中组分最低的第二铝镓氮层位于所述电子阻挡层中部，从所述铝组分最低的第二铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第二铝镓氮层的铝组分逐层递增，从所述铝组分最低的第二铝镓氮层到所述P型氮化镓层一侧，所述第二铝镓氮层的铝组分逐层递增。

8.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层和所述第二铝镓氮层的总数为2-40层。

9.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，相邻的所述第一铝镓氮层的铝组分和所述第二铝镓氮层的铝组分的差值在0.05-0.15之间。

10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为20-50nm，每层所述第一铝镓氮层的厚度为1-3nm，每层所述第二铝镓氮层的厚度为1-3nm。

11.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一铝镓氮层和所述第二铝镓氮层的最高铝组分在0.15-0.5之间。

12.一种制造如权利要求1-11任一项所述的半导体发光二极管的方法，其特征在于，在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层。