[发明专利]辐射成像装置及其制造方法无效
| 申请号: | 201210056210.3 | 申请日: | 2012-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN102683364A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
| 发明(设计)人: | 草山育实;横泽信幸;川西光宏;五十岚崇裕 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种辐射成像装置,其包括:
传感器基板,其具有包括光电转换元件的像素部分;
闪烁体层,其设置所述传感器基板的所述像素部分上;以及
密封层,利用所述密封层密封所述闪烁体层的至少一部分,
其中所述密封层包括
第一壁部,其远离所述闪烁体层、布置在所述传感器基板上,以及
防潮层,其设置在所述闪烁体层与所述第一壁部之间。
2.根据权利要求1所述的辐射成像装置,其中在所述第一壁部的闪烁体层侧设置第二壁部,并且所述防潮层保持在所述第一壁部与所述第二壁部之间。
3.根据权利要求2所述的辐射成像装置,其中当假设H和D分别为所述防潮层的厚度和宽度时,厚度H与宽度D的高宽比(H/D)大于等于0.6。
4.根据权利要求3所述的辐射成像装置,其中所述第一壁部和所述第二壁部的各个是通过层叠由相同或不同树脂材料制成的多个树脂层而形成的。
5.根据权利要求2所述的辐射成像装置,其中所述第一壁部和所述第二壁部布置成在所述传感器基板上包围所述闪烁体层。
6.根据权利要求5所述的辐射成像装置,其中在所述闪烁体层上设置密封层。
7.根据权利要求6所述的辐射成像装置,其中所述防潮层由具有粘合性质的树脂制成,并且所述密封板经由所述防潮层粘贴到所述闪烁体层。
8.根据权利要求6所述的辐射成像装置,其中所述密封板的厚度等于或小于0.1mm。
9.根据权利要求8所述的辐射成像装置,其中所述密封板由玻璃制成。
10.一种制造辐射成像装置的方法,所述方法包括以下步骤:
在具有像素部分的传感器基板的所述像素部分上形成闪烁体层,其中所述像素部分包括光电转换元件;以及
在所述传感器基板上的所述像素部分的周围区域中形成密封层,
其中在形成所述密封层时,在于所述周围区域中形成第一壁部之后,在所述第一壁部的像素部分侧的区域中形成防潮层。
11.根据权利要求10所述的制造辐射成像装置的方法,其中在形成所述密封层时,在所述第一壁部的闪烁体侧上形成第二壁部,并且将所述防潮层涂覆在所述第一壁部与所述第二壁部之间。
12.根据权利要求11所述的制造辐射成像装置的方法,将所述第一壁部与所述第二壁部的高度和沉积间隔设计为,使得当假设H和D分别为所述防潮层的厚度和深度时,厚度H与宽度D的高宽比(H/D)变得大于等于0.6。
13.根据权利要求12所述的制造辐射成像装置的方法,其中所述第一壁部和所述第二壁部的各个是通过层叠彼此相同或不同的树脂材料而形成的。
14.根据权利要求11所述的制造辐射成像装置的方法,其中所述第一壁部和所述第二壁部布置成在所述传感器基板上的所述周围区域中包围所述闪烁体层。
15.根据权利要求14所述的制造辐射成像装置的方法,还包括以下步骤:
将密封板粘贴到所述闪烁体层上。
16.根据权利要求15所述的制造辐射成像装置的方法,其中所述防潮层由具有粘合性质的树脂制成,并且所述密封板经由所述防潮层粘贴到所述闪烁体层上。
17.根据权利要求15所述的制造辐射成像装置的方法,其中所述密封板的厚度被设置为等于或小于0.1mm。
18.根据权利要求17所述的制造辐射成像装置的方法,其中使用玻璃作为所述密封层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





