[发明专利]衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：

反应容器；

气体喷嘴，被设置在所述反应容器内，并向所述反应容器内供给反应气体；

舟皿，向所述反应容器送入及从所述反应容器送出，并包含具有支架保持部的多个舟皿柱；

晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其内周侧保持衬底，

所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，并且所述晶片支架能从所述支架保持部拆下。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，具有实质上与所述多个舟皿柱的各自的宽度相同的宽度的、所述晶片支架的与从所述晶片支架的径向的外侧延伸到所述晶片支架的中心的第一假想长方形对应的部分的表面积，比所述晶片支架的与以所述晶片支架的中心为中心使所述第一假想长方形旋转到所述多个舟皿柱中的两个所述舟皿柱的中间位置的第二假想长方形对应的部分的表面积小。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述多个舟皿柱包括第一、第二、第三舟皿柱，

所述第一、第二舟皿柱的间隔比所述第二、第三舟皿柱的间隔窄，

所述第二假想长方形位于所述第一、第二舟皿柱的中间位置，

所述晶片支架与所述第二假想长方形对应的部分的表面积比与以所述晶片支架的中心为中心使所述第一假想长方形旋转到所述第二、第三舟皿柱的中间位置的第三假想长方形对应的部分的所述晶片支架的表面积小。

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，所述晶片支架包含切缺部，所述切缺部在所述晶片支架的外周侧且在所述第一舟皿柱和所述第二舟皿柱之间沿所述晶片支架的径向设置。

5.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，所述晶片支架的外周侧为圆形，

所述晶片支架包含冲孔，所述冲孔在所述第一舟皿柱和所述第二舟皿柱之间沿所述晶片支架的轴向设置的。

6.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述晶片支架的所述第二、第三舟皿柱之间的部分的厚度比所述晶片支架的所述第二、第三舟皿柱之间以外的部分的厚度薄。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述晶片支架包含：

贯穿孔，被设置在所述晶片支架的内周侧，并沿所述晶片支架的轴向贯穿；

盖部件，被安装在所述晶片支架上，并覆盖所述衬底的成膜面侧的相反侧。

8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，所述晶片支架包含连通孔，其具有实质上与所述多个舟皿柱的各自的宽度相同的宽度，并被设置在与从所述晶片支架的径向的外侧延伸到所述晶片支架的中心的第一假想长方形对应的部分上，并沿着所述晶片支架的轴向。

9.一种晶片支架，以通过支架保持部被保持在舟皿上的方式进行移载，并将衬底保持在其内周侧，所述舟皿包含具有所述支架保持部的多个舟皿柱，所述晶片支架的特征在于，

所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，所述晶片支架能从所述支架保持部拆下。

10.一种半导体装置的制造方法，是使用如下衬底处理装置的半导体装置的制造方法，所述衬底处理装置包括：反应容器；气体喷嘴，被设置在所述反应容器内，并向所述反应容器内供给反应气体；舟皿，向所述反应容器送入及从所述反应容器送出，并包含具有支架保持部的多个舟皿柱；晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其内周侧保持衬底，

所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：

将舟皿装载到所述反应容器内的工序，所述舟皿通过所述支架保持部对保持着所述衬底的所述晶片支架进行保持；

通过所述气体喷嘴将所述反应气体向所述反应容器内供给从而在所述衬底的表面形成膜的工序；

将所述舟皿从所述反应容器送出的工序，

所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，并且所述晶片支架能从所述支架保持部拆下。