[发明专利]垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201210055650.7 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102779532B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 穗积康彰 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/71
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 介质
【说明书】:

技术领域

本发明涉及搭载于各种磁记录装置上的垂直磁记录介质。更详细地说,涉及搭载于用作计算机、AV设备等外部存储装置的硬盘驱动器(HDD)上的垂直磁记录介质。

背景技术

1997年以后,HDD的记录密度以年利率60~100%的比例迅速地增加。这种显著成长的结果是,迄今为止所使用的面内记录方式已接近高密度化的极限。从这种状况看,近年来,能高密度化的垂直记录方式备受关注,极大地促进了其研究开发。而且,白2005年以来,在一部分机型中采用垂直记录方式的HDD的商品化终于开始。

垂直磁记录介质包含:基底层,其至少包含硬质磁性材料的磁记录层,用于任意选择性地使磁记录层在目标的方向取向;保护膜,其保护磁记录层的表面;和软磁性材料的衬里层,其承担使在向磁记录层的记录中使用的磁头所产生的磁通向磁记录层集中的作用。为了提高磁记录介质的信号输出-噪声比(S/N),需要提高磁记录介质的基本的特性。为了进一步实现高记录密度化,就要提高被记录在垂直磁记录介质的信号的热稳定性。为了提高热稳定性,就要增大磁记录层的材料的磁各向异性Ku。为了增大磁各向异性,进行了使用以L10结构等为代表的磁晶各向异性或利用了多层膜的界面磁各向异性的研究。

已经提出通过在由Ru等非磁性金属形成的第一中间层和具有颗粒(granular:粒状)结构的磁记录层之间插入用于缓和各层材料的晶格常数的不适配的第二中间层,使该颗粒结构中的磁性晶粒的易磁化轴取向的技术(例如参照专利文献1)。在该提案中,优选使第二中间层与磁记录层的磁性晶粒的晶格常数(a轴和c轴)的不适配、和第一中间层与第二中间层的晶格常数(a轴和c轴)的不适配为3%以下。另外,作为第二中间层的材料,记载有使用向CoCr中添加了Nb、Ru、W、Pt等的合金的材料。但是,在为了提高磁记录介质的性能而减少中间层的膜厚的情况下,需要进一步的改良。

另外,提出了如下技术,即,在使用具有反铁磁性交换耦合结构的磁记录层的垂直磁记录介质中,在包含Ru的第一磁记录层的下面设置具有颗粒结构的非磁性的第二中间层,由不含Ru的CoCr合金形成非磁性粒子,用金属(Si、Cr、Ti、W等)氧化物形成粒界,由此防止第二中间层以下的结构层所包含的Ru扩散到磁记录层而打乱磁记录层的反铁磁性交换耦合结构(例如,参照专利文献2)。

现有技术文献1

专利文献

专利文献1:(日本)特开2002-208126号公报

专利文献2:(日本)特开2010-27110号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明目的在于不改变现有的层叠结构就可提高磁记录层的磁各向异性,从而提高记录信号的热稳定性。

解决问题的方法

对上述的问题进行了精心研究,结果发现通过在中间层中的Ru或者Ru基合金的层和磁记录层之间导入由CoCrW构成的薄层,能增大作为磁各向异性的指标的顽磁力,完成了本发明。本发明的垂直磁记录介质的特征为:具有在非磁性基体上至少依次层叠有中间层、第二基底层和磁记录层的结构,中间层为Ru或Ru基合金的单一层结构,或者为包含Co和Cr的非磁性合金层与Ru或Ru基合金的层的层叠结构,第二基底层包含30at%以上75at%以下的Co、20at%以上60at%以下的Cr、和0.1at%以上10at%以下的W,第二基底层具有0.1nm以上1.0nrn以下的膜厚。在此,优选中间层具有0.1nm以上30nm以下的膜厚。另外,磁记录层优选使用具有在非磁性氧化物或者非磁性氮化物的基质中分散有磁性结晶粒子的颗粒结构的材料而形成。

发明效果

在本发明的垂直磁记录介质中,通过在包含Ru或Ru基合金的层的中间层和包含具有特定的组成的CoCrW且具有特定的膜厚的第二中间层的层叠结构上形成有磁记录层,能够实现磁记录层的磁各向异性的提高和垂直磁记录介质的记录信号的热稳定性的提高。由此,本发明的垂直磁记录介质能够对应在高密度下的磁记录。

附图说明

图1是用于说明本发明的垂直磁记录介质的结构例的截面示意图;

图2是表示实施例1的第二基底层的膜厚和顽磁力的关系的图表;

图3是表示实施例4中的第二基底层形成时的氧浓度和顽磁力的关系的图表

符号说明

10非磁性基板

20软磁性衬里层

30第一基底层

40中间层

50第二基底层

60磁记录层

70保护层

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