[发明专利]一种小分子半导体及包含其的半导体组合物和电子设备

权利要求书

1.式(I)的小分子半导体：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子，

其中n为1或2，并且

其中X独立地为S或

2.权利要求1的小分子半导体，其中所述小分子半导体具有式(I-a)到式(I-d)之一的结构：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子。

3.权利要求2的小分子半导体，其中式(I-a)到(I-d)中R₁和R₂独立地选自氢、烷基、氰基和卤素。

4.权利要求3的小分子半导体，其中所述小分子半导体具有式(II)结构：

其中式(II)中R₁和R₂均为氢，

其中R独立地选自被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基和卤素原子，并且

其中m为1到5。

5.一种半导体组合物，包括：

一种聚合物粘合剂；和

一种式(I)的小分子半导体：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子，

其中n为1或2，并且

其中X为S或

6.权利要求5的半导体组合物，其中所述小分子半导体具有式(I-a)到式(I-d)之一的结构：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子。

7.权利要求6的半导体组合物，其中式(I-a)到(I-d)中R₁和R₂独立地选自氢、烷基、氰基和卤素。

8.权利要求5的半导体组合物，其中所述聚合物粘合剂为聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(α-甲基苯乙烯-共聚-乙烯基甲苯)、聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(苯乙烯-嵌段-异戊二烯-嵌段-苯乙烯)、聚(乙烯基甲苯)、萜烯树脂、聚(苯乙烯-共聚-2，4-二甲基苯乙烯)、聚(氯苯乙烯)、聚(苯乙烯-共聚-α-甲基苯乙烯)、聚(苯乙烯-共聚-丁二烯)、聚咔唑、聚三芳基胺或聚(N-乙烯基咔唑)或者其混合物。

9.权利要求5的半导体组合物，其中所述聚合物粘合剂是一种基于苯乙烯的聚合物。

10.一种电子设备，包括一个半导体层，该半导体层包括：

一种式(I)的小分子半导体：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子，

其中n为1或2，并且

其中X独立地为S或