[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210055291.5 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102683550A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;王树林 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件，其特征在于：所述器件为三明治式夹层结构，所述夹层结构的中间部位为发光体；
在所述发光体的两侧分别、依次包括
位于所述发光体表面的透明导电导热层，和
位于所述透明导电导热层表面的、具有透光窗口的金属电极层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述透明导电导热层包括玻璃导电导热胶、石墨导电胶、碳纤维导电导热胶、或石墨烯。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述金属电极之间具有绝缘电介质。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光体为氮化镓基发光二极管。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述透明导电导热层包括至少一层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述金属层为铜层。
7.一种发光器件的制造方法，包括：
提供衬底、在所述衬底表面形成发光体；
在所述发光体表面帖附硅衬底；
剥离所述衬底；
对所述硅衬底进行图形化处理；
切割图形化的硅衬底及发光体形成单个发光体芯片；
在所述发光体芯片表面贴附其表面具有透明导电导热层和透光窗口的已图形化的金属片；
剥离所述硅衬底；
在所述发光体芯片的另一个裸露表面贴附其表面具有透明导电导热层和透光窗口的已图形化的金属片；
在所述金属片之间填充绝缘介质。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底，所述发光体为氮化镓基发光二极管。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述贴附的方法包括键合或粘帖。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述金属片为铜材料的片状电极。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述剥离的方法包括激光剥离或湿法腐蚀。
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