[发明专利]一种铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料及其制备方法无效
申请号: | 201210055056.8 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102618273A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 宋志国;李臣;邱建备;杨正文;周大成;尹兆益;杨勇;赵宗谚;余雪 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
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地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 激活 硅酸盐 余辉 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料,其特征在于:由化学组成式为A2-x-yMBixReySiO7的组分组成,其中x=0.001~0.1,y=0.001~0.1;A为Ca、Sr、Ba中的任意一种或者几种;M为Mg或Zn;Re为Yb、Gd、Tm、Dy、Nd、Ho、Lu、Er、Y中的任意一种或者几种。
2.一种铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料的制备方法,其特征在于经过下列各步骤:
(1)按A离子︰M离子︰Bi离子︰Re离子︰Si离子的摩尔比=2-x-y︰1︰x︰y︰1,称取AO或ACO3、以及含M离子的化合物、Bi2O3、Re2O3、SiO2,并将上述物料混合均匀,其中x=0.001~0.1,y=0.001~0.1;A为Ca、Sr、Ba中的任意一种或者几种;M为Mg或Zn;Re为Yb、Gd、Tm、Dy、Nd、Ho、Lu、Er、Y中的任意一种或者几种;
(2)将步骤(1)所得混合料装入坩埚,在炉膛中通入还原气氛或者装入碳粉,然后升温至1100~1400℃,再保温1~4小时后随炉温冷却,即得到化学组成式为A2-x-yMBixReySiO7的铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料。
3.根据权利要求2所述的铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中含M离子的化合物为MgO、MgCO3、Mg(HCO3)OH、Mg(OH)2中的任意一种或者几种。
4.根据权利要求2所述的铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中含M离子的化合物为ZnO、ZnCO3、Zn(HCO3)OH、Zn(OH)2中的任意一种或者几种。
5.根据权利要求2所述的铋离子激活的硅酸盐长余辉荧光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的还原气氛为CO或者H2+N2。
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