[发明专利]半导体芯片的捡取方法、半导体芯片的捡取装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并请求2011年9月20日提交的在先日本专利申请No.2011-204364的优先权；其全部内容通过参考而在此合并。

技术领域

本发明涉及半导体芯片的捡取方法及半导体芯片的捡取装置。

背景技术

在半导体衬底(以下称之为晶片)上成批形成多个半导体元件。已形成多个半导体元件的晶片，在通过磨削装置对背面进行磨削而薄形化至规定厚度以后，在晶片背面粘附由合成树脂等构成的粘合片(切割带：dicing tape)，并通过切割装置切分各个半导体元件而作为半导体芯片。通过切割装置而切分的半导体芯片，在进行了规定检查以后仅将检查合格的合格品捡取出来产品化。在捡取该合格品的半导体芯片时使用半导体芯片的捡取装置。

发明内容

本发明的技术方案提供一种半导体芯片的捡取方法及半导体芯片的捡取装置，能够缓和顶起时给半导体芯片的应力以抑制在顶起时发生的半导体芯片的缺陷。

技术方案所涉及的半导体芯片的捡取方法将通过切割而切分的半导体芯片用多个上顶销顶起，并在使多个上顶销的一部分下降以后，用开口夹(collet)捡取所顶起的半导体芯片。

根据本发明的技术方案，能够提供一种半导体芯片的捡取方法及半导体芯片的捡取装置，其能够缓和顶起时给半导体芯片的应力以抑制在顶起时发生的半导体芯片的缺陷。

附图说明

图1A～图1C是晶片的切割工序的说明图。

图2是实施方式所涉及的捡取装置的结构图。

图3A及图3B是顶起机构的结构图。

图4A～图6B是半导体芯片的捡取方法的说明图。

具体实施方式

下面参照附图就实施方式进行说明。

(实施方式)

图1A～图1C是半导体衬底1(以下称之为晶片1)的切割工序的说明图。首先，参照图1A～图1C就形成了多个半导体元件的晶片1的切割工序进行说明。

在晶片1表面形成有多个半导体元件。晶片1其背面进行磨削而薄形化至规定的厚度(例如30～80μm)。薄形化后的晶片1被粘附于切割用的粘合片2。粘附了薄形化后的晶片1的粘合片2为了不松弛而对外周部进行拉伸并粘附于金属框3(参照图1A)。

粘合片2具备片基材2a以及设置于该片基材2a单面侧(晶片1侧)的粘合剂层2b。片基材2a是例如PVC(聚氯乙烯)或PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有伸缩性的树脂片。粘合剂层2b最好是使用通过紫外线(UV)照射而硬化且粘着力下降这一性质的材质。

粘附在粘合片2上的晶片1进行切分(切割)而成为半导体芯片C(参照图1B)。

切分后对粘合片2照射紫外线UV以硬化粘合片2的粘合剂层2b使粘着力下降(参照图1C)。

经过切分的半导体芯片C在进行了规定检查以后，仅将检查合格的合格品用下面说明的实施方式所涉及的半导体芯片C的捡取装置进行捡取。

图2是实施方式所涉及的半导体芯片C的捡取装置10(以下简单地称之为捡取装置10)的结构图。以下，参照图2来说明实施方式所涉及的捡取装置10的结构。

捡取装置10具备：固定夹具11、顶起机构12、X-Y工作台13、汽缸14、开口夹15、驱动机构16、汽缸17及控制机构18。此外，顶起机构12及开口夹15连接到未图示的真空泵。

固定夹具11保持金属框3，该金属框3把持粘合了在切割工序所切出的多个半导体芯片C的粘合片2的外周部。顶起机构12从背面侧(下侧)顶起所切出的各个半导体芯片C。X-Y工作台13相对于粘合片2上的半导体芯片C沿水平方向驱动顶起机构12以进行水平方向的定位。汽14使顶起机构12相对于粘合片2上的半导体芯片C沿垂直方向进行驱动。

开口夹15吸附并捡取由顶起机构12所顶起的半导体芯片C。驱动机构16相对于粘合片2上的半导体芯片C沿水平方向驱动开口夹15以进行水平方向的定位。汽缸17相对于粘合片2上的半导体芯片C沿垂直方向驱动开口夹15。控制机构18对捡取装置10整体进行控制。

图3A是顶起机构12的截面图。图3B是顶起机构12的平面图。以下，参照图3A及图3B来说明顶起机构12的结构。顶起机构12具备：吸附工作台101、多个上顶销102a～102e及升降机构103(销钉夹钳：pin holder)。在吸附工作台101表面上用于吸附粘合片2背面的多个吸附孔101a设置在凹槽(沟槽)101c内。在吸附工作台101的表面中央部设置有开口101b。