[发明专利]真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在配置在真空容器内部的处理室内处理半导体晶片等被处理基板的真空处理装置，涉及配备有与真空容器连接并在其内部输送被处理基板的输送容器的真空处理装置。

背景技术

在上述这种装置中，特别是，在配置于真空容器内部、在被减压的处理室内处理作为处理对象的试样的半导体晶片等基板(下面，称之为“晶片”)的真空处理装置中，在处理的微细化、精密化的同时，还要求提高作为处理对象的晶片的处理效率。因此，近年来，开发了在一个装置上连接多个真空容器、能够在多个处理室中并行地进行晶片处理的多腔室装置，提高净化室的单位设置面积的生产效率。

另外，在配备有这种多个处理室或者腔室来进行处理的装置中，各个处理室或者腔室，和对各个处理室或者腔室提供电场、磁场的机构、对内部进行排气的排气泵等排气机构、或者调节供应给处理室内部的处理用气体的供应的机构等一起，构成各个处理单元，该处理单元与输送单元可拆装地连接，所述输送单元包含有其内部的气体及其压力能够被减压地调节且配备有输送基板用的机械手等的输送室(输送腔室)，晶片在该输送单元的内部被输送并被暂时地加以保持。更具体地说，内部配置有各个处理单元的被减压的处理室或者腔室的真空容器的侧壁，可拆装地连接到处理前或处理后的晶片在减压到相同程度的内部被输送的输送单元的真空输送容器的侧壁上，所述真空容器与所述真空输送容器的内部能够连通、或闭塞。

在这种结构中，真空处理装置整体的大小，受到真空输送容器及真空处理容器、或者真空输送室、真空处理室的大小及配置很大的影响。例如，对于真空输送室，用于实现必要的动作的大小，也受到邻接地连接的输送室或者处理室的数目、配置在内部且输送晶片的输送机器人的数目及其动作所必要的最小半径及晶片的直径的大小的影响，并由这些因素决定。另一方面，真空处理室也受到处理对象的晶片的直径、实现必要的压力用的处理室内的排气效率、处理晶片所必要的设备类的配置的影响。进而，真空输送室及真空处理室的配置，也受到在设置的场所，实现使用者要求的半导体器件等的生产总量、效率所必要的各个处理装置中所必需的处理室的数目的影响。

进而，真空处理装置的各个处理容器，每经过规定的运转时间或处理的个数，有必要进行保养、检查等维修，对于各个设备及各个容器的配置，要求能够高效率地进行这种维修。作为这种多个真空处理容器和真空输送容器连接配置的真空处理装置的现有技术，已知有日本专利文献特表2007-511104号公报揭示的技术。

【专利文献1】日本专利文献特表2007-511104号公报

发明内容

在上述现有技术中，通过各个处理单元或输送单元可拆装地构成，能够与满足所要求的处理内容及条件、或者保养、性能方面的要求的其它单元进行交换，在设置在使用者的建筑物内的状态下，能够进行与不同的处理相应的结构的改变。另外，真空输送容器，从上方观察时，其平面形状呈多角形，在相当于该多角形的各个边的侧壁上，可拆装地连接有真空处理容器单元的真空容器的侧壁、或者其它的输送单元的真空输送容器或将它们彼此连接起来的容器的侧壁。现有技术，借助这种结构，在这种真空处理装置中，通过将真空输送容器彼此(也可以夹持连接在中间的容器)连接，可以增大真空处理单元的数目和配置的自由度，可以根据使用者要求的规格的变更，在短时间内变更处理和结构，保持高的整个装置的运转效率。

但是，在上述现有技术中，存在着对于下面所述的各点考虑不足的问题。即，通过将真空输送容器(不管有没有通过中间容器)连接，可能的真空处理单元的配置及数目增多，但是，对于向通过这些配置和数目能够产生最佳的晶片的处理及生产效率的真空处理容器内的晶片搬送顺序，没有进行充分地考虑，有损于真空处理装置的单位设置面积的生产量。

例如，在配备有真空处理装置能够实施同一处理的真空处理单元、将这些真空处理单元与另外的真空输送容器连接起来构成的情况下，在上述现有技术中，没有考虑到由于为了进行这些处理而对送入的晶片的输送、投入顺序的选择，会损害处理效率。这样，在现有技术中，或有损于真空处理装置的单位设置面积的晶片处理能力。

本发明的目的是提供一种提高单位设置面积的生产率的真空处理装置。