[发明专利]一种新型的上电复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种上电复位电路。

背景技术

上电复位电路产生芯片内部的复位信号，对芯片的正常工作至关重要。2004年，W.C.Yen等人在一篇发表于“IEICE Trans.Electron”中的名为“A precision CMOS power-on reset circuit with power noise immunity for low-voltage technology”的学术论文中介绍了他们所研究的基于Kuijk带隙基准的上电复位电路，如图1所示，其原理是检测电源电压VDD与b点电压Vb的差是否高于带隙基准电压，由于Vb接地，可视为Vb＝0，即检测电源电压VDD是否高于带隙基准电压。由于三极管的发射极与基极的压差和二极管的压降具有同样的负温度系数，故可以用基极与集电极相连的三极管等效替换二极管，用于检测VDD-Vb是否大于带隙基准电压，改造后的电路如图2所示，由图2可知Vb为零，故该电路的检测效果与图1所示的电路的检测效果一致。

上述两种基于Kuijk带隙基准电压的电路，具有电路结构简单、随温度和工艺偏差较小等优点，缺点是其检测的电源电平固定在带隙基准电压。然而一般应用中电源电平的高低是根据其它电路需求来决定的，因此上述电路无法满足该要求。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种新型的上电复位电路，以实现对不同电源电平的精确检测。为解决上述问题，采用了如下技术方案：

一种新型的上电复位电路，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5；电阻R4一端连接于比较器的同向输入端，电阻R5一端连接于比较器的反向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Q1与Q2的基极相连，三极管Q1与Q2的集射极均接地，Q1发射极连接于比较器的同向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的反向输入端，电阻R1连接于电源与三极管Q1的基极之间，电阻R2连接于三极管Q1基极与地之间，通过调节电阻R1与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。

三极管Q1与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Q1的面积。

一种新型的上电复位电路，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5；电阻R4一端连接于比较器的反向输入端，电阻R5一端连接于比较器的同向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Q1与Q2的基极相连，三极管Q1与Q2的集射极均接地，Q1发射极连接于比较器的反向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的同向输入端，电阻R1连接于电源与三极管Q1的基极之间，电阻R2连接于三极管Q1基极与地之间，通过调节电阻R1与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。

极管Q1与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Q1的面积。

根据W.C.Yen论文描述的电路工作原理，当VDD-Vb＝Vref时，电路输出复位信号，其中Vref为带隙基准电压，VDD代表电源电平，如果想解决实际应用中遇到的检测不同电源电平的问题，必须改变Vb的值。为了达到这个目的，本发明对W.C.Yen等人提出的上电复位电路进行了改进，由于三极管的发射极与基极的压差和二极管的压降具有同样的负温度系数，故将原电路中的成比例的二极管等效替换为同比例的三极管代替并将俩个三极管的基极相连。然后在三极管基极即点b与VDD之间以及三极管基极即点b与地之间分别串接电阻R1和R2，从而改变b点的电压Vb，达到检测不同电源电平的目的，电路结构如图3所示。

具体工作原理如下：

令带隙基准电压为Vref，根据W.C.Yen论文描述电路的工作原理，当VDD-Vb＝V_ref时，电路输出复位信号，图3所示电路中，忽略三极管Q1、Q2的基极电流，则有即在时输出复位信号，通过调节电阻R2与R1的比值可以得到不同的检测阈值电压，Vb为三极管基极电压，接地点电压为零电势。

有益效果

本发明设计的上电复位电路随工艺和温度的偏差小，可以精确的检测高于带隙基准电压的电源电压。

附图说明

下面结合附图对本发明做进一步说明：

图1为W.C.Yen等人所用的上电复位结构电路图；

图2为用三极管代替二极管后的上电复位电路；