[发明专利]一种LED发光器件有效
申请号: | 201210054408.8 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103296046A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 李喆;张俊 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/12;H01L33/36 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 发光 器件 | ||
1.一种LED发光器件,其特征在于,包括基底以及发光层,所述发光层包括第一、第二发光层,所述第一第二发光层水平布设于所述基底表面。
2.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述第一发光层位蓝光发光层、第二发光层为黄光发光层,所述第一、第二发光层发出的光复合生成白光。
3.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述第一以及第二发光层由铟氮化稼组成有源层。
4.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述发光层还包括第三发光层,所述第一、第二以及第三发光层水平布设于所述基底表面。
5.如权利要求4所述的LED发光器件,其特征在于,所述第一发光层为红光发光层,所述第二发光层为绿光发光层,所述第三发光层为蓝光发光层,所述第一、第二、第三发光层发出的光复合生成白光。
6.如权利要求4所述的LED发光器件,其特征在于,所述第一、第二以及第三发光层由氮化稼或铟氮化稼组成有源层。
7.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述发光层之间包括一二氧化硅层。
8.如权利要求1或4所述的LED发光器件,其特征在于,所述基底包括蓝宝石衬底、形成于所述蓝宝石衬底一表面的N型氮化镓,所述发光层形成于所述N型氮化镓表面。
9.如权利要求8所述的LED发光器件,还包括P型氮化镓、导电层,依序形成于所述发光层上。
10.如权利要求8所述的LED发光器件,其特征在于,所述基底还包括一缓冲层,所述缓冲层位于所述蓝宝石衬底和所述N型氮化镓之间。
11.如权利要求8所述的LED发光器件,其特征在于,所述LED发光器件还包括P型电极和N型电极,所述P型电极形成于所述发光层,所述N型电极形成于所述N型氮化镓表面。
12.如权利要求11所述的LED发光器件,还包括绝缘保护层,形成于该基底表面保护所述基底、所述发光层、所述P型氮化镓、所述导电层,并外露出所述P型电极与N型电极。
13.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述发光层均匀地分布在所述基底上,且所述发光层的形状相同。
14.如权利要求13所述的LED发光器件,其特征在于,所述发光层的形状均为对称的几何图形。
15.如权利要求14所述的LED发光器件,其特征在于,所述发光层的形状为正方形、矩形、圆形、椭圆形或等腰三角形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的