[发明专利]间接变换型图像检测器

权利要求书

1.一种间接变换型图像检测器，具备：

将照射的放射线变换为光的荧光体；

接受所述光而产生电荷的半导体层；

相互并列配置的多个扫描布线；

与上述多个扫描布线交叉设置，并且与形成有上述扫描布线的金属层隔着绝缘层，由不同的金属层所形成的多个数据布线；

以矩阵状设置的薄膜晶体管，其与上述扫描布线和上述数据布线连接；

以矩阵状设置的传感部，其与上述薄膜晶体管连接；

多个公共布线，其为了向上述半导体层施加偏压电压而设置，与形成有上述扫描布线的金属层和形成有上述数据布线的金属层隔着绝缘层，由不同的金属层所形成；

第一绝缘层，其设置在上述薄膜晶体管的源电极以及漏电极与栅电极之间；和

第二绝缘层，其设置在上述数据布线与上述扫描布线之间，并且比上述第一绝缘层厚。

2.根据权利要求1所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

还具备：第三绝缘层，其设置在上述源电极以及上述漏电极与上述数据布线之间，并且比上述第一绝缘层厚。

3.根据权利要求2所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

上述第三绝缘层的厚度，比上述第一绝缘层厚并且比上述第一绝缘层的两倍厚度薄。

4.根据权利要求2所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

上述第三绝缘层的介电常数比上述第一绝缘层的介电常数低。

5.根据权利要求2所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

形成有上述数据布线的上述金属层，比形成有上述源电极以及上述漏电极的金属层厚。

6.根据权利要求5所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

形成有上述薄膜晶体管的上述源电极以及上述漏电极的金属层，是单层的金属膜，

形成有上述数据布线的金属层，是多层的金属膜。

7.根据权利要求2所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

还具备：矩阵状地设置的电荷收集电极，其收集在上述半导体层产生的上述电荷，

上述电荷收集电极与上述数据布线在层叠方向上不重叠。

8.根据权利要求7所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

上述电荷收集电极隔着上述第三绝缘层覆盖上述薄膜晶体管。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

上述数据布线、上述扫描布线和上述公共布线，在层叠方向上形成在上述半导体层的下方。

10.根据权利要求9所述的间接变换型图像检测器，其特征在于，

依次层叠了：

基板；

第一金属层，其形成上述扫描布线以及上述薄膜晶体管的上述栅电极；

单层或多层的上述第一绝缘层；

第二金属层，其形成上述薄膜晶体管的上述源电极以及上述漏电极；

单层或多层的上述第三绝缘层；

第三金属层，其形成上述数据布线；

单层或多层的绝缘膜；

第四金属层，其形成收集在上述半导体层产生的上述电荷的电荷收集电极；

上述半导体层；

上述公共电极，其向上述半导体层施加偏压电压；和

上述荧光体。