[发明专利]透光遮蔽组合光栅及其制造方法

说明书

技术领域；

本发明涉及双层光栅及其制造方法。

背景技术；

现有的光栅均是在透光板单面制造光栅，尚未检索到在透光板上平面与下平面交错制造透光光栅和遮蔽光栅的报导，交错制造透光光栅和遮蔽光栅可产生光增益和提高光栅密度，提高表面等离子体共振的品质因子，增强局域电磁场强度。

发明内容：

本发明的目的是：1、通过透光板上层阵列透光光栅与下层阵列遮蔽光栅交错排列缝隙压缩光束截面，提高光反射或光折射路程，获得更高的光功率密度，提高表面等离子体共振的品质因子，增强局域电磁场强度。2、通过透光板上层阵列透光立体光栅与下层阵列遮蔽立体光栅交错排列，提高遮蔽物吸收和反射光的效能，提高光反射或光折射路程，获得更高的光功率。3、透光板上层阵列透光立体光栅与下层阵列遮蔽立体光栅采用不同遮蔽物材料，改良光反射特性和光功率密度和电场强度。4、透光板上层阵列透光立体光栅与下层阵列遮蔽立体光栅采用量子点材料，将宽激发谱改变窄的发射谱，提高光电转换效率。5、透光板上层阵列透光立体光栅与下层阵列遮蔽立体光栅采用纳米金属材料，实现光增益。6、透光板上层阵列透光立体光栅与下层阵列遮蔽立体光栅采用增益介子材料，提高激光泵蒲效能。7、透光板上层阵列透光光栅与下层阵列遮蔽光栅交错排列，提高光栅密度。8、透光板上层阵列透光光栅与下层阵列遮蔽光栅交错排列，下层阵列遮蔽光栅具有准直光线功能。

本发明提出的透光遮蔽组合光栅包括：透光板，透光光栅，遮蔽光栅，遮蔽物，透光板上层平面设阵列透光光栅，透光板下层平面设阵列遮蔽光栅，阵列透光光栅透光孔与阵列遮蔽光栅透光孔交错排列，阵列透光光栅遮蔽物与阵列遮蔽光栅遮蔽物交错排列。

透光板包括：无机玻璃透光板，有机玻璃透光板，硅片。

透光板上层平面透光光栅透光孔大于透光板下层平面透光遮蔽光栅遮蔽物，部分光可直接透过，提高光栅密度。

透光板上层平面透光光栅透光孔等于透光板下层平面透光遮蔽光栅遮蔽物，通过光的横向传播，提高表面等离子体共振的品质因子，增强局域电磁场强度。

透光板上层平面透光光栅透光孔小于透光板下层平面透光遮蔽光栅遮蔽物，通过光的横向传播和在上层遮蔽物与下层遮蔽物之间的反射，提高表面等离子体共振的品质因子，增强局域电磁场强度。

透光板上层平面设阵列透光光栅，透光板下层平面中间部位设阵列遮蔽光栅，四周为环形透光条，透过光中间部分为光栅，四周为光柱。

透光板上层平面设横向条形阵列透光光栅，透光板下层平面设纵向条形阵列遮蔽光栅。

透光板上层遮蔽物与透光板下层遮蔽物采用相同材料包括：材料相同和粒度相同，材料相同和粒度不同，如：CdTe量子点为例，透光板上层遮蔽物粒径采用2.5nm，发射波长为510nm，透光板下层遮蔽物粒径采用4.0nm，发射波长为660nm，透光板上层遮蔽物与透光板下层遮蔽物组成发光带。

透光板上层遮蔽物与透光板下层遮蔽物采用采用不同材料，如：透光板上层遮蔽物采用量子点材料，透光板下层遮蔽物采用半导体纳米材料，上层量子点材料遮蔽物吸收太阳光宽光谱和发射出可被半导体纳米材料吸收的窄光谱，提高半导体纳米材料的效能，解决了太阳光中低能量光不能够被半导体纳米材料吸收问题。

透光板上层平面设阵列透光光栅，透光板下层平面设阵列遮蔽光栅，透光板中间部位设遮蔽物夹层。

遮蔽物包括：采用印刷或热蒸发或电子束蒸发或磁控溅射制造的平面遮蔽物和采用模压制成的立体遮蔽物。

遮蔽物包括：由II-VI族或III-V族元素组成的量子点纳米颗粒，但不限于上述颗粒。

遮蔽物包括：纳米金属银，纳米金属铜，纳米金属铝，纳米金属钨，纳米金属钛，纳米金属硅及其合金。

遮蔽物包括：Nd或Nd/Cr或Yb/Cr颗粒或其纳米颗粒，但不限于上述颗粒。

遮蔽物包括：SiO2，TiO2，Fe2O3，Cr2O3，Al2O3，ZnO.CdSe，CdS，SnO2，Nb2O2，InP，GaAs，但不限于上述材料。

透光遮蔽组合光栅包括：矩形、圆形、椭圆型，但不限于上述形状。

遮蔽物形状包括：矩形、梯形、三角形、圆形、多棱锥，但不限于上述形状。

遮蔽物混合于树脂中，树脂粘接在透光板上下表面。

遮蔽物采用印刷或热蒸发或电子束蒸发或磁控溅射工艺制造在透光板上下表面。