[发明专利]一种大面积石墨烯的转移方法无效
申请号: | 201210053514.4 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN102592973A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 许士才;满宝元;姜守振;刘杰;杨诚;刘玫;范秀伟 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/00;C23C16/01 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 王立晓 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大面积 石墨 转移 方法 | ||
1.一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,包括步骤如下:
(1)对金属基底上的石墨烯薄膜喷涂金属的腐蚀溶液或是将金属基底及石墨烯薄膜蘸取少量金属的腐蚀溶液;
(2)然后将金属基底及石墨烯薄膜放入去离子水中浸泡,洗去残余的腐蚀溶液;
(3)将金属基底及石墨烯薄膜浸入水中,使与石墨烯薄膜接触的一侧有一定厚度的水,放入冷冻室使水全部结冰;
(4)将与石墨烯薄膜接触的一侧的冰分离,得到石墨烯冰层;
(5)将石墨烯冰层放在目标基底上,冰融化后就实现了石墨烯的转移。
2.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,所述的金属基底为能用化学气相沉积方法催化生长石墨烯的金属。
3.根据权利要求2所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,所述的金属基底为铜箔、镍箔、铜膜或镍膜。
4.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,所述的金属的腐蚀溶液为FeCl3溶液、Fe(NO3)3溶液,溶液浓度范围为0.1-2mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,步骤(2)所述的浸泡时间为5-10分钟。
6.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,当金属基底两侧均有石墨烯薄膜时,步骤(3)中金属基底及石墨烯薄膜浸入水中,使与石墨烯薄膜接触的两侧都有一定厚度的水。
7.根据权利要求1或6所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,所述的与石墨烯薄膜接触的一侧水的厚度范围为2-50mm。
8.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯的转移方法,其特征是,步骤(5)所述的目标基底为金属基底,半导体基底,氧化物基底或有机物基底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东师范大学,未经山东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210053514.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造