[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件

权利要求书

1.一种负磁导率超材料，包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧的第一人造微结构和第二人造微结构，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连，所述第一人造微结构和第二人造微结构为一方形螺绕环，所述第一人造微结构和所述第二人造微结构的嵌套圈数大于等于一圈，使得所述第一人造微结构和第二人造微结构的等效电感值、等效电容值增大，

其中，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽和线间距相等，所述第一人造微结构和第二人造微结构的长度和宽度不大于工作波长的五分之一。

2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构上覆有保护层。

3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽均为0.30mm-0.70mm。

4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线间距均为0.05mm-0.15mm。

5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线厚度均为0.03mm-0.05mm。

6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的厚度为0.10-0.25mm。

7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层的厚度为0.03-0.09mm。

8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板为FR4等级的基板。

9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述保护层为FR4等级的高分子材料。

10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的尺寸均为30mm×30mm。

11.一种MRI磁信号增强器件，设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件为超材料，所述超材料在MRI成像设备的磁信号工作频率下具有负磁导率，所述超材料为权利要求1至10任一所述的负磁导率超材料。