[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件有效

专利信息
申请号: 201210052097.1 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN103296465B 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强 申请(专利权)人: 深圳光启创新技术有限公司
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 代理人: 蔡纯,高青
地址: 518034 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁导率 材料 mri 信号 增强 器件
【权利要求书】:

1.一种负磁导率超材料,包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧的第一人造微结构和第二人造微结构,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连,所述第一人造微结构和第二人造微结构为一方形螺绕环,所述第一人造微结构和所述第二人造微结构的嵌套圈数大于等于一圈,使得所述第一人造微结构和第二人造微结构的等效电感值、等效电容值增大,

其中,所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽和线间距相等,所述第一人造微结构和第二人造微结构的长度和宽度不大于工作波长的五分之一。

2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构上覆有保护层。

3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽均为0.30mm-0.70mm。

4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构的线间距均为0.05mm-0.15mm。

5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构的线厚度均为0.03mm-0.05mm。

6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述基板的厚度为0.10-0.25mm。

7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述保护层的厚度为0.03-0.09mm。

8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述基板为FR4等级的基板。

9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述保护层为FR4等级的高分子材料。

10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料,其特征在于,所述第一人造微结构和第二人造微结构的尺寸均为30mm×30mm。

11.一种MRI磁信号增强器件,设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间,其特征在于,所述MRI磁信号增强器件为超材料,所述超材料在MRI成像设备的磁信号工作频率下具有负磁导率,所述超材料为权利要求1至10任一所述的负磁导率超材料。

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