[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法有效
申请号: | 201210052063.2 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102760743A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 小池英敏 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种固体拍摄装置,其特征在于,具备:
具有第1及第2区域的半导体层;
在上述第1区域设置的像素部;
在上述第2区域设置且贯通上述半导体层的多个电极;和
在上述第2区域设置且贯通上述半导体层,且将上述像素部和上述多个电极电气分离的保护环;
其中,上述第2区域的半导体层的顶面比上述第1区域的半导体层的顶面低。
2.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其特征在于,
上述多个电极及上述保护环从上述半导体层的顶面露出。
3.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其特征在于,还具备:
覆盖上述保护环的露出部分的绝缘膜;和
与上述多个电极电气连接的导电性衬垫。
4.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其特征在于,
上述保护环包围上述多个电极。
5.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其特征在于,还具备:
覆盖上述多个电极的各个且将上述电极和上述半导体层电气分离的第1绝缘膜;和
覆盖上述保护环且将上述保护环和上述半导体层电气分离的第2绝缘膜。
6.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其特征在于,
上述像素部包括:
在上述半导体层内设置的光电二极管;
在上述光电二极管的上方设置的滤色器;和
在上述滤色器上设置的微透镜。
7.一种固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,具备:
在半导体层的第1区域形成像素部的步骤;
在上述半导体层的第2区域形成多个电极和将上述像素部和上述多个电极电气分离的保护环的步骤,上述多个电极及上述保护环从上述半导体层的第1面埋入;
下挖上述第2区域的半导体层的第2面,以使上述多个电极及上述保护环的端部露出的步骤;
由第1绝缘膜覆盖上述保护环的露出部分的步骤;和
形成与上述多个电极电气连接的导电性衬垫的步骤。
8.如权利要求7所述的固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,
在下挖上述半导体层的步骤之前,还具备由光致抗蚀剂覆盖上述第1区域的半导体层的步骤。
9.如权利要求7所述的固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,还具备:
形成覆盖上述多个电极的各个且将上述电极和上述半导体层电气分离的第2绝缘膜的步骤;和
形成覆盖上述保护环且将上述保护环和上述半导体层电气分离的第3绝缘膜的步骤。
10.如权利要求7所述的固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,
上述多个电极及上述保护环从上述半导体层的第2面突出。
11.如权利要求7所述的固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,
上述保护环包围上述多个电极。
12.如权利要求7所述的固体拍摄装置的制造方法,其特征在于,
上述像素部包括:
在上述半导体层内设置的光电二极管;
在上述光电二极管的上方设置的滤色器;和
在上述滤色器上设置的微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的