[发明专利]采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路无效

专利信息
申请号: 201210052015.3 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN102594290A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 司朝伟;韩国威;宁瑾;刘晓东 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 采用 脉冲 激励 mems 谐振器 振荡器 电路
【权利要求书】:

1.一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,包括:

一MEMS谐振器;

一低通滤波器,该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接;

一高增益反相器,该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接;

一窄脉冲发生器,该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接,该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接,形成闭合回路。

2.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的低通滤波器采用的截止频率为MEMS谐振器谐振频率的2-4倍。

3.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的高增益反相器的增益大于MEMS谐振器的插入损耗。

4.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的窄脉冲发生器采用的窄脉冲频率分量为MEMS谐振器谐振频率的5-10倍。

5.根据权利要求4所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的MEMS谐振器的阻抗由MEMS谐振器中的馈通电容和工作频率决定,其在所述的窄脉冲信号发生器发出的信号频率下,实现50欧姆的阻抗匹配,提高能量利用率。

6.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的窄脉冲发生器开始工作时,产生一个脉冲,激励MEMS谐振器振动,该MEMS谐振器从起振到稳定振动的时间小于现有的噪声触发振荡器电路的起振时间。

7.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的高增益反相器和窄脉冲发生器中的有源管在一个振荡周期内,只有发生状态翻转时,才消耗能量,能耗小于现有的高频高增益的跨导放大器。

8.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中采用的低通滤波器为RC无源滤波器,既能滤除高频分量,又起到了谐振器动态阻抗匹配的作用,将MEMS谐振器输出电流转换成电压信号。

9.根据权利要求1所述的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,其中所述的电子元件是采用集成电路工艺实现,而且占用的面积及功耗小于现有的采用高频高增益的跨导放大器构成的振荡器电路。

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