[发明专利]一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极及其制作方法无效
申请号: | 201210051348.4 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102568853A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 薄拯;岑可法;严建华;王智化;池涌 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 垂直 取向 石墨 超级 电容器 电极 及其 制作方法 | ||
1.一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极,其特征在于:该电极由集流体(1)和石墨烯纳米片(2)组成,石墨烯纳米片垂直于集流体表面,每片石墨烯纳米片均有由1~10层石墨烯组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极,其特征是:所述集流体材料为金、银、铜、铝、铁、不锈钢、镍或碳。
3.根据权利要求1所述的一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极,其特征是:所述石墨烯纳米片厚度为1~20纳米,高度为0.05~100微米,宽度为0.01~5微米,相邻石墨烯纳米片间距为0.01~5微米。
4.一种如权利要求1所述的基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极的制作方法,其特征在于:加热集流体至600~1000 oC,以含碳元素气体作为前驱物气体产生等离子体,将集流体放置在等离子体内,通过等离子体增强化学气相沉积法,在集流体表面直接生长垂直取向石墨烯纳米片,生长5分钟~8小时后,所得表面长有垂直取向石墨烯纳米片的集流体即为超级电容器电极。
5.根据权利要求4所述的一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极的制作方法,其特征在于:所述等离子体为微波等离子体、射频电感耦合等离子体、射频电容耦合等离子体、超高频等离子体、电子束等离子体或常压正常辉光放电等离子体。
6.根据权利要求4所述的一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极的制作方法,其特征在于:所述含碳元素气体为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯、一氧化碳、二氧化碳或四氟化碳中的一种或多种与氩气、氮气、氦气或氢气的混合气体。
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