[发明专利]一种离面静电驱动器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210050886.1 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103288034A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王建坤;杨振川;闫桂珍 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 驱动器 及其 制作方法 | ||
1.一种低驱动电压MEMS梳齿式离面静电驱动器结构，其特征在于：它包括基片、固定电极、可动电极、锚点、组合扭转梁、驱动输出部分和信号引出焊盘；
所述固定电极为固定在基片上的梳齿式电极；
所述可动电极为连接到所述驱动输出部分的梳齿式电极；
所述组合扭转梁，包括两组折叠扭转梁和一个支架横梁，悬浮固定在基片上；
所述折叠扭转梁为多个扭转横梁(即可扭转的窄梁)通过首尾相连的方式折叠而成；
所述支架横梁为连接两组所述折叠扭转梁的通梁；
第一组所述折叠扭转梁的一端连接基片，另一端所述支架横梁；第二组所述折叠扭转梁的一端连接所述支架横梁，另一端连接所述驱动输出部分。
2.如权利要求1所述的一种低驱动电压MEMS梳齿式离面静电驱动器结构，其特征在于：所述扭转组合梁为单端不等高梁。
3.如权利要求1所述的一种低驱动电压MEMS梳齿式离面静电驱动器结构的制备方法，其主要包括以下工艺：
(1)选择包括单晶硅器件层、二氧化硅埋氧层和单晶硅衬底层的SOI(Silicon-on-insulator绝缘体上硅)基片；
(2)在单晶硅器件层表面进行掺杂，以形成欧姆接触，并在在单晶硅衬底层表面形成氧化硅掩膜，以定义驱动器的背腔区域；
(3)在单晶硅器件层表面形氧化硅掩膜，再在单晶硅器件层表面和氧化硅掩膜表面形成光刻胶掩膜，进而形成氧化硅与光刻胶的复合掩膜；然后以光刻胶掩膜为掩膜刻蚀释放结构；
(4)去除光刻胶掩膜，以氧化硅掩膜为掩膜刻蚀定出固定电极顶部与可动电极顶部之间的高度差；
(5)以单晶硅衬底层上的氧化硅掩膜为掩膜刻蚀出驱动器的背腔区域；
(6)去除氧化硅掩膜和背腔区域的二氧化硅埋层，并处理第(4)步刻蚀后的梳齿电极表面；
(7)制作金属电极，完成驱动器制备。
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