[发明专利]一种紧缩场产生装置

权利要求书

1.一种紧缩场产生装置，所述装置包括馈源，其特征在于，所述装置还包括设置在所述馈源前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括至少一个核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在所述第一基材上的多个人造微结构，所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。

2.根据权利要求1所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述第一基材包括片状的第一前基板及第一后基板，所述多个第一人造微结构夹设在第一前基板与第一后基板之间。

3.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述核心层包括多个厚度相同且折射率分布相同的核心层片层。

4.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述圆心为核心层片层的中心，所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式：

ni(r)=nmin+1d(ai2+s2-r2+s2);]]>

ai+12+s2-ai2+s2=λ;]]>

其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、......、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；

n_i(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；

n_min表示核心片层的折射率的最小值；

λ表示电磁波波长；

r表示核心层片层上任意一点距离核心层片层中心的距离；

s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；

a_i表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；

d表示所述核心层的厚度。