[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电型第一半导体层；

在所述第一导电型第一半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第二导电型第二半导体层；

包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层；以及

在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层，

其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述可靠性增强层包括In_xAl_yGa_(1-x-y)N，其中0≤x≤1并且0<y≤1。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式In_pAl_qGa_1-p-qN的半导体材料，其中0≤p≤1，0≤q≤1并且0≤p+q≤1，其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q)。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式：q+0.05≤y≤q+0.5，其中0≤q≤0.5。

6.根据权利要求3所述的发光器件，其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式In_pAl_qGa_1-p-qN的半导体材料，其中0≤p≤1，0≤q≤1并且0≤p+q≤1，则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的电阻大于所述第二导电型第三半导体层的电阻。

10.一种发光器件，包括：

第一导电型第一半导体层；

在所述第一导电型第一半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第二导电型第二半导体层；

在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层；以及

在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层，

其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层，

其中所述可靠性增强层的铝组成或能带隙朝着所述有源层逐渐减小，以及

其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。

11.一种发光器件，包括：

第一导电型第一半导体层；

在所述第一导电型第一半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第二导电型第二半导体层；

在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层；以及

在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层，

其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层，

其中所述可靠性增强层的铟组成朝着所述有源层逐渐增大，以及

其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。

12.根据权利要求10和11中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层具有通过交替堆叠具有不同的能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层形成的超晶格结构，以及

所述发光器件还包括设置在所述第二导电型第三半导体层上的垫电极，

所述垫电极与所述光提取图案垂直地交叠。

13.根据权利要求10和11中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层包括在所述第二导电型第二半导体层上的突出部，

其中所述可靠性增强层的全部顶表面被所述第二导电型第三半导体层所覆盖。