[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210050652.7 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102693914A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 酒井泰治;今泉延弘;水越正孝 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；
通过对其上安装所述半导体元件的安装构件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；
在第一温度下对在所述第一层上或所述第一层中存在的第一氧化膜以及在所述第二层上或所述第二层中存在的第二氧化膜进行还原，所述第一温度低于在所述第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在所述第二电极中包含的第二金属以固态进行扩散的第三温度；以及
通过固相扩散将所述第一层和所述第二层彼此接合。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括切削。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层和所述第二层在所述接合期间再结晶。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述接合之前，所述第一层和所述第二层在所述第一温度下彼此接触。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属和所述第二金属包括选自Cu、Sn、Al和Ni中的材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述安装构件包括引线框或电路板。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度是100℃至150℃，并且使用甲酸作为还原剂。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度是25℃至150℃，并且使用氢自由基作为还原剂。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度是50℃至150℃，并且使用一氧化碳作为还原剂。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体元件包括高电子迁移率晶体管。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合在150℃至250℃的温度下进行。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合在非氧化性气氛中进行。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括使所述第一电极的表面和所述第二电极的表面平坦化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
