[发明专利]快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法

权利要求书

1.一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法，所述方法包括以下步骤：

(1)提供SiC晶片，其中，所述SiC的基本参数为：(a)对于经过线切割得到的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，线痕深度小于10μm，晶片翘曲度小于50μm，晶片厚度不均匀性小于30μm；(b)对于经过研磨的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，表面粗糙度值小于10μm，晶片翘曲度小于50μm，晶片厚度不均匀性小于30μm；

(2)对步骤(1)提供的所述SiC晶片，采用PH值为6.5至11、浓度为5％至30％、粒径为2μm至5μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm²至10g/cm²，抛光盘转速为50rpm至90rpm；

(3)对步骤(2)抛光后的SiC晶片，采用PH值为6.5至11，浓度为5％至30％，粒径为0.5μm至2μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm²至10g/cm²，抛光盘转速为50rpm至90rpm；

(4)对步骤(3)抛光后的SiC晶片，采用PH值为7.5至10，浓度为5％至30％，粒径为20nm至50nm的硅溶胶，以H₂O₂和硅溶胶之比为1∶5至1∶25的比例范围加入H₂O₂，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为3g/cm²至10g/cm²，抛光盘转速为50rpm至90rpm。

2.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，所述SiC晶片的晶型是4H-SiC、6H-SiC或15R-SiC。

3.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(1)中提供的SiC晶片的加工面是(0001)Si面。

4.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(1)中提供的SiC晶片方向与(0001)Si面的夹角为0至15°。

5.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(2-4)采用抛光布进行。

6.根据权利要求5所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(2)所用抛光布的邵氏硬度为60至90。

7.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(2)进行的时间大于等于30分钟，且小于等于2小时。

8.根据权利要求5所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(3)所用抛光布的邵氏硬度为60至90。

9.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于步骤(3)进行的时间大于等于1小时，且小于等于2小时。

10.根据权利要求5所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(4)所用抛光布的邵氏硬度为60至90。

11.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(4)进行的时间大于等于3小时，且小于等于8小时。

12.根据权利要求1所述的SiC晶片抛光方法，其特征在于，步骤(4)中H₂O₂与硅溶胶之比为1∶10。