[发明专利]一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

(1)在玻璃衬底上生长一层非透明导电薄膜，然后光刻和刻蚀形成栅电极；

(2)溅射形成一层栅介质层，在溅射台内退火处理；

(3)接着溅射生长一层氧化锌或其掺杂的有源层，在溅射台内退火处理；

(4)光刻和刻蚀形成有源区；

(5)刻蚀有源区下面的栅介质层；

(6)甩一层光刻胶，利用外加源电极和漏电极的掩膜版与不透光的栅电极相结合，底部曝光，然后光刻显影去除将要形成源电极和漏电极的区域的光刻胶；

(7)溅射生长一层金属导电薄膜，去除光刻胶，剥离形成源电极和漏电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，形成所述栅电极的非透明的导电薄膜为Al、Cr、Mo等非透明的导电金属中的一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述栅介质层的材料为二氧化硅、氮化硅以及高介电常数绝缘材料中的一种或者多种的组合。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，采用射频磁控溅射技术生长所述氧化锌及其掺杂的有源层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(6)中，电极和漏电极的掩膜版与栅电极套准时，所述栅电极位于源电极和漏电极的掩膜版的透光区中央。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述金属导电薄膜为Al、Ti和Cr等金属中的一种。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述栅介质层的厚度在20～50纳米之间。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述金属导电薄膜的厚度在50～200纳米之间。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，氧化锌的掺杂物为Al、Ga和In等IIIA族元素中的一种。