[发明专利]固体摄像器件和电子装置无效
申请号: | 201210049558.X | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102738186A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 中泽正志;平野智之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/372;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
光电转换膜,其位于半导体基板外部,并介于两个透明电极之间,
其中,所述光电转换膜的膜表面设置成相对所述半导体基板的前表面倾斜。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜对预定波长范围内的光进行光电转换,并使不同于所述预定波长范围的其它波长范围内的光透过。
3.如权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜沿着凹部的内壁布置,并形成用于聚集入射光的波导部,所述凹部形成在所述半导体基板上的层间膜中。
4.如权利要求3所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜布置在所述凹部的整个所述内壁上。
5.如权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜由下述材料形成,所述材料相对所述其它波长范围内的光具有70%以上的透射率。
6.如权利要求2所述的固体摄像器件,其还包括:
光电转换层,其位于所述半导体基板中,并对所述光电转换膜中透过的所述其他波长范围内的光进行光电转换。
7.如权利要求6所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换层位于所述光电转换膜的中线延长线上。
8.如权利要求1所述的固体摄像器件,其还包括:
电荷存储单元,其位于所述半导体基板中,并积累在所述光电转换膜中光电转换的电荷。
9.如权利要求4所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜与所述两个透明电极一同埋入在所述凹部中。
10.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述光电转换膜由两个以上的层层叠而成。
11.如权利要求10所述的固体摄像器件,其中,两层以上的所述光电转换膜共同对同一波长范围内的光进行光电转换。
12.如权利要求10所述的固体摄像器件,其中,两层以上的所述光电转换膜分别对不同波长范围内的光进行光电转换。
13.如权利要求3所述的固体摄像器件,其中,所述两个透明电极中位于所述层间膜一侧的透明电极的折射率大于所述层间膜的折射率。
14.一种电子装置,其包括前述权利要求1-13中任一项所述的固体摄像器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的