[发明专利]测量浮栅器件的耦合系数的方法

权利要求书

1.一种测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构包括相互分立的第一子栅极结构和第二子栅极结构，且两者通过层间介质层隔离，其中，所述第一子栅极结构包括位于层间介质层表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的浮栅、位于所述浮栅表面的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层表面的控制栅；所述第二子栅极结构包括位于层间介质层表面的第三绝缘层和位于所述第三绝缘层表面的选择栅；所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；

对控制栅、选择栅、源区、半导体衬底所对应的端口进行两两测量，获得保持对应的栅致漏电流不变的情况下，所对应的两个端口的电压变化量之间的关系式；

根据所述多个关系式，得到控制栅、选择栅、源区、半导体衬底分别与浮栅之间的耦合系数。

2.如权利要求1所述的测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，所述对控制栅、选择栅、源区、半导体衬底所对应的端口进行两两测量的方法包括：

将选择栅和半导体衬底置于浮空状态，在控制栅和源区所对应的端口施加电压，测量第一栅致漏电流，分别调整施加于控制栅和源区所对应端口的电压，获得保持第一栅致漏电流不变时，控制栅所对应的端口的电压变化量与源区所对应的端口的电压变化量之间的第一关系式：V_控×CR₁+V_源1×CR₄＝0，其中，V_控为控制栅所对应的端口的电压变化量，V_源1为相应的源区所对应端口的电压变化量，CR₁为控制栅与浮栅间的耦合系数，CR₄为源区与浮栅间的耦合系数；

在控制栅所对应的端口施加恒定电压，同时在选择栅和源区所对应的端口施加电压，测量第二栅致漏电流，分别调整施加于选择栅和源区所对应端口的电压，获得保持第二栅致漏电流不变时，选择栅所对应端口的电压变化量与源区所对应端口的电压变化量之间的第二关系式：V_选×CR₂+V_源2×CR₄＝0，其中，V_选为选择栅所对应的端口的电压变化量，V_源2为相应的源区所对应端口的电压变化量，CR₂为选择栅与浮栅间的耦合系数；

在控制栅所对应的端口施加恒定电压，在半导体衬底和源区所对应的端口施加电压，测量第三栅致漏电流，分别调整施加于半导体衬底和源区所对应的端口的电压，获得保持第三栅致漏电流不变时，半导体衬底对应端口的电压变化量与源区所对应端口电压变化量间的第三关系式：V_衬底×CR₃+V_源3×CR₄＝0，其中，V_衬底为半导体衬底所对应的端口的电压变化量，V_源3为相应的源区所对应端口的电压变化量，CR₃为半导体衬底与浮栅间的耦合系数。

3.如权利要求2所述的测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，所述恒定电压为0V或者1～2V。

4.如权利要求2所述的测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，对控制栅、选择栅、源区、半导体衬底所对应的端口施加的电压为-2～-4V。

5.如权利要求2所述的测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，还包括第四关系式：CR₁+CR₂+CR₃+CR₄＝1。

6.如权利要求1所述的测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，还包括：第一导电插塞，与所述源极相连；第二导电插塞，与所述漏极相连；字线，与所述第二子栅极结构电连接，用于选择相应的存储单元；位线，与所述第二导电插塞电连接、且与所述字线垂直，用于读写信息到所述存储单元。